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公开(公告)号：CN118899221A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410677765.2
申请日：2024-05-29
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/3065 , H01L29/78
摘要： 提供一种制造及蚀刻半导体装置的方法。一种用于制造半导体装置的示例性方法包含在半导体基板的密集区及隔离区中形成鳍片；进行电浆干式蚀刻工艺以移除密集区中的至少一个选定鳍片的一部分，从而在密集区中形成第一沟槽，且移除隔离区中的至少一个选定鳍片的一部分，从而在隔离区中形成第二沟槽，其中电浆干式蚀刻工艺包含：进行钝化取向工艺及蚀刻剂取向工艺；以及控制钝化取向工艺及蚀刻剂取向工艺以形成具有第一临界尺寸及第一深度的第一沟槽，并形成具有第二临界尺寸及第二深度的第二沟槽。
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公开(公告)号：CN118891709A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202380025277.7
申请日：2023-09-26
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/3065 , H05H1/46
摘要： 本发明的基片处理系统包括真空输送腔室、多个基片处理模块、环储料器、输送机械臂和控制部。多个基片处理模块和环储料器与真空输送腔室连接。控制部在输送机械臂在使用至少两个末端执行器中的一个来仅输送新品边缘环的情况下，响应基片输送请求，控制输送机械臂以使用至少两个末端执行器中未被利用的末端执行器经由真空输送腔室输送基片。
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公开(公告)号：CN118841370A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202310445188.X
申请日：2023-04-23
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 范义秋
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L21/306 , H01L21/3065
摘要： 一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成若干分立的初始沟道结构，所述初始沟道结构包括若干沿垂直于衬底表面方向重叠的沟道层以及相邻沟道层之间的牺牲层；在所述衬底以及初始沟道结构表面形成层间介质层，所述层间介质层内具有栅极开口，所述栅极开口横跨所述初始沟道结构，且所述栅极开口暴露出牺牲层表面；通过若干次去除改性工艺去除所述栅极开口暴露出的牺牲层，在相邻沟道层之间形成栅极槽，每次所述去除改性工艺包括：刻蚀所述牺牲层，以暴露出至少部分沟道层表面；对暴露出的沟道层表面进行表面疏水改性处理。所述半导体结构的形成方法减少了晶体管的沟道层之间的黏连缺陷，提升了器件性能。
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公开(公告)号：CN114743855B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202210484801.4
申请日：2022-05-06
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
发明人： 陈国动
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3065
摘要： 本发明提供一种半导体工艺腔室，包括腔体、基座、介质窗和线圈组件，介质窗盖设在腔体的顶部，基座设置于腔体内，基座具有用于承载晶圆的承载面，线圈组件设置在介质窗的上方，用于向腔体内馈入射频形成等离子体，介质窗的下表面具有环绕介质窗中心的曲面结构，曲面结构向背离基座的一侧凹陷，曲面结构在承载面上的投影覆盖承载面，以平衡基座上方的等离子体密度分布。本发明提供的半导体工艺腔室，能够提高等离子体密度的均匀性，从而能够提高晶圆的刻蚀均匀性，改善M型刻蚀，以能够满足更为先进的工艺的使用要求。
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公开(公告)号：CN118830063A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202380013065.7
申请日：2023-02-15
申请人： 株式会社日立高新技术
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 提供一种通过将电场圆度控制为最佳值，能够进行均匀的等离子处理的技术。提供如下技术，具备：波导管，与真空容器连结，传播等离子生成用的电场；矩形波导管，构成所述波导管，以最低阶的模进行动作；圆形波导管，构成所述波导管，以最低阶的模进行动作；圆矩形变换器，连接所述矩形波导管和所述圆形波导管；处理室，在所述圆形波导管的下方配置在所述真空容器内，通过所述电场形成等离子；圆偏振波产生器，配置在所述圆形波导管的内部；圆偏振波校正器，调节所述圆形波导管的内部的圆偏振波；控制部，调节所述圆偏振波校正器的动作；以及自动匹配器，与所述矩形波导管的与所述圆矩形变换器相反的端连接，检测反射的电场，与其对应地取得阻抗的匹配，使用由所述自动匹配器测定的反射电场、和连接反射电场测定面和想要监视电场分布的面的电场传播区域的散射矩阵(S)，计算电场分布，根据基于计算结果的电场分布来控制所述圆偏振波校正器的动作。
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公开(公告)号：CN112262458B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN201980038751.3
申请日：2019-05-17
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/3065 , H01L21/027 , H01L21/3213 , H01L21/768 , H01L21/02
摘要： 铝籽晶层沉积在晶片上方。光致抗蚀剂材料层沉积在铝籽晶层上。使光致抗蚀剂材料图案化和显影，以穿过光致抗蚀剂材料中的开口暴露铝籽晶层的部分。在晶片上执行电化学转化工艺，以将铝籽晶层的穿过光致抗蚀剂材料中的开口暴露的部分电化学转化为阳极氧化铝(AAO)。该AAO包括延伸穿过该AAO的孔图案，以暴露出晶片的顶表面的在铝籽晶层下方的区域。从晶片去除光致抗蚀剂材料。使晶片暴露于等离子体以在晶片的顶表面的通过AAO中的孔图案暴露的区域处将孔蚀刻到晶片中。
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公开(公告)号：CN110235227B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN201880009034.3
申请日：2018-01-24
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/3213 , H01J37/32
摘要： 一种利用原子层控制各向同性地蚀刻在衬底上的膜的方法包括：a)提供包括选自硅(Si)、锗(Ge)和硅锗(SiGe)的材料的衬底。所述方法还包括b)通过以下方式在处理室中在所述材料上沉积牺牲层：冷却所述衬底的下部；执行在所述处理室中产生含氧化剂的等离子体或向所述处理室中供应所述含氧化剂的等离子体中的一者；以及使用快速热加热将所述衬底的表面温度提高持续预定的时间段，同时在所述处理室中产生所述含氧化剂的等离子体或供应所述处理室中的所述含氧化剂的等离子体。所述方法还包括c)吹扫所述处理室。所述方法还包括d)通过向所述处理室中供应蚀刻气体混合物并在所述处理室中激励等离子体来蚀刻所述牺牲层和所述材料。
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公开(公告)号：CN118692907A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202411164700.4
申请日：2024-08-22
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司 , 中微半导体(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 本发明公开了一种基片的刻蚀方法及其存储介质和电子设备，该基片的刻蚀方法包含：多次重复执行的处理周期，处理周期包括刻蚀阶段和沉积阶段；刻蚀阶段中，向腔内通入刻蚀气体，并通过一源射频电源向腔内提供源射频电压，以产生等离子体对基片进行刻蚀形成凹陷结构；沉积阶段中，向腔内通入沉积气体和开口气体，并通过源射频电源和一偏置电源向腔内分别提供源射频电压和偏置电压，沉积气体在源射频电源的作用下产生等离子体并在凹陷结构的侧壁和底壁上沉积保护层，开口气体产生的等离子体在偏置电源的作用下用于消除凹陷结构的底壁上的保护层。其优点是：该方法在沉积阶段中只在凹陷结构的侧壁上沉积保护层，节省了工艺步骤，有助于提高生产效率。
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公开(公告)号：CN113597662B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202080012015.3
申请日：2020-12-23
申请人： 株式会社日立高新技术
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/033 , C09K13/00
摘要： 对含有硼的硅膜、多晶硅膜进行等离子体蚀刻的等离子体处理方法使用卤素气体、含有氟的气体、以及三氯化硼气体的混合气体，对含有所述硼的多晶硅膜进行蚀刻。由此，能够在对含有硼的多晶硅膜进行等离子体蚀刻时，实现蚀刻速率的提高，抑制蚀刻不良。
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公开(公告)号：CN111937114B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN201980021613.4
申请日：2019-04-08
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 万机仪器公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/3065
摘要： 在等离子体加工中，多个谐波频率分量用于等离子体激发。控制不同频率分量之间的相对幅度和/或相移，以便提供期望的离子能量等离子体属性。可以在不进行直接测量和/或手动离子能量测量的情况下控制相对幅度和/或相移。而是，可以通过监测该等离子体装置内的诸如例如阻抗水平等一个或多个电特性、该射频(RF)发生器中的电信号、匹配网络中的电信号、以及该等离子体加工装置的其他电路中的电信号来动态地控制该等离子体内的离子能量。可以在等离子体工艺期间动态地实现对该离子能量的监测和控制，以便维持期望的离子能量分布。
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