发明授权
CN101345187B 一种用于监测和校准半导体加工室内温度的新型方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 一种用于监测和校准半导体加工室内温度的新型方法
- 专利标题（英）： Novel method for monitoring and calibrating temperature in semiconductor processing chambers
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申请号： CN200810126567.8申请日： 2008-07-10
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公开(公告)号： CN101345187B公开(公告)日： 2012-12-26
- 发明人: 贾勒帕里·拉维 , 梅伊特·马哈贾尼 , 黄宜乔
- 申请人： 应用材料公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京律诚同业知识产权代理有限公司
- 代理商 徐金国
- 优先权： 11/775,720 2007.07.10 US
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00 ; H01L21/66
摘要：
本发明提供一种用于监测和校准加工室温度的非破坏性方法。本发明的一个实施例提供一种用于测量温度的方法，该方法包括在第一温度下在测试基片上形成目标膜，其中目标膜具有对热暴露敏感的一种或几种性能，将目标膜暴露于在高于第一温度的范围内的第二温度下的环境，在将目标膜暴露于第二温度下的环境之后测量目标膜的一种或几种性能，以及根据所测量的一种或几种性能确定第二温度。
公开/授权文献
- CN101345187A 一种用于监测和校准半导体加工室内温度的新型方法 公开/授权日：2009-01-14