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发明授权
CN101345231B 半导体芯片器件及其制造方法和包括其的堆叠封装 失效 - 权利终止

半导体芯片器件及其制造方法和包括其的堆叠封装
摘要：
一种半导体芯片，可包括：晶片，在晶片上形成的半导体器件，在晶片和半导体器件上形成的第一介电层，在第一介电层上形成的第一金属互连，在第一介电层和下部互连上形成的第二介电层，以及在第二介电层上形成的第三介电层，可在第三介电层中形成的第二金属互连，在第三介电层和第一金属互连上形成的第一氮化物层，延伸穿过晶片、第一介电层、第二介电层、第三介电层和第一氮化物层的通孔，在通孔中形成的插塞，以及在第一氧化物层、插塞的暴露的上部末端以及第二金属互连上形成的第三金属互连。
摘要（英）：

A semiconductor chip may include a wafer, a semiconductor device formed on the wafer, a first dielectric layer formed on the wafer and the semiconductor device, a first metal interconnection formed on the first dielectric layer, a second dielectric layer formed on the first dielectric layer and the lower interconnection, and a third dielectric layer formed on the second dielectric layer. A secondmetal interconnection may be formed in the third dielectric layer, a first nitride layer formed on the third dielectric layer and the first metal interconnection, a via hole extending through the wafer, the first dielectric layer, the second dielectric layer, the third dielectric layer and the first nitride layer, a via formed in the via hole and a third metal interconnection formed on the first oxide layer, an exposed upper end of the via and the second metal interconnection.

公开/授权文献
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