公开(公告)号：CN101345231B

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN200810130739.9

申请日：2008-07-14

申请人： 东部高科股份有限公司

发明人： 李玟炯 ,  郑伍珍

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L25/00 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/76898 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541

摘要： 一种半导体芯片，可包括：晶片，在晶片上形成的半导体器件，在晶片和半导体器件上形成的第一介电层，在第一介电层上形成的第一金属互连，在第一介电层和下部互连上形成的第二介电层，以及在第二介电层上形成的第三介电层，可在第三介电层中形成的第二金属互连，在第三介电层和第一金属互连上形成的第一氮化物层，延伸穿过晶片、第一介电层、第二介电层、第三介电层和第一氮化物层的通孔，在通孔中形成的插塞，以及在第一氧化物层、插塞的暴露的上部末端以及第二金属互连上形成的第三金属互连。

公开(公告)号：CN101266988A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200710161864.1

申请日：2007-09-24

申请人： 东部高科股份有限公司

发明人： 李玟炯

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L27/14632 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689

摘要： 本发明公开了一种图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括具有晶体管电路和多个下部互连件的衬底。多个第一互连件在衬底上彼此隔开的形成，并通过所述多个下部互连件电连接到CMOS电路。在所述多个第一互连件之间形成多个平坦化的绝缘层以隔开各个单元像素。在包括所述多个绝缘层的衬底上形成本征层，以及在所述本征层上形成第二导电层。所述多个第一互连件、所述本征层和所述第二导电层提供了用于所述图像传感器的光电二极管。根据本发明的图像传感器及其制造方法，能够提高分辨率和灵敏度。

公开(公告)号：CN101207077A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200710170310.8

申请日：2007-11-08

申请人： 东部高科股份有限公司

发明人： 李玟炯

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  H01L27/146 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L27/14685 ,  H01L21/76849 ,  H01L24/13 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种图像传感器和其制造方法。在包括光电二极管的衬底上形成多层的层间绝缘层，并在所述层间绝缘层中形成金属线，使得所述金属线穿过所述层间绝缘层。在所述金属线上形成导电阻挡层，在所述层间绝缘层和所述金属线上形成彩色滤光器阵列，并且在所述彩色滤光器阵列上形成微透镜。

公开(公告)号：CN101266993B

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200810085396.9

申请日：2008-03-14

申请人： 东部高科股份有限公司

发明人： 李玟炯

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/105 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L31/035281 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14692 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/105 ,  Y02E10/50

摘要： 本发明涉及一种图像传感器及其制造方法。所述图像传感器可包括包含电路区域的半导体衬底、在所述半导体衬底上的包括金属互连的层间电介质、在所述金属互连上的下电极、和在所述下电极上的光接收部。所述光接收部可以是形成为具有凸形的PIN二极管。

公开(公告)号：CN101465332A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200810186515.X

申请日：2008-12-22

申请人： 东部高科股份有限公司

发明人： 李玟炯

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 提供半导体芯片、制造半导体芯片的方法和半导体芯片堆叠封装。所述半导体芯片包括：半导体衬底和在半导体衬底上的半导体器件。电介质覆盖半导体器件。顶部金属在电介质上并且电连接至半导体器件。深插塞穿透半导体衬底和电介质。互连电连接深插塞和顶部金属。凸点与顶部金属和互连接触。

公开(公告)号：CN101325206A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200710308341.5

申请日：2007-12-29

申请人： 东部高科股份有限公司

发明人： 李玟炯

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L27/14636 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14665 ,  H01L27/14689

摘要： 本发明涉及一种图像传感器及其制造方法。一种图像传感器，包括：具有像素区和外围电路区的半导体衬底；具有形成在半导体衬底上的金属引线和焊盘的层间介电层；选择性地形成在金属引线上的下电极；形成在像素区的层间介电层上的光电二极管；以及形成在光电二极管上的上电极。因此，本发明能够提供晶体管和光电二管的填充因子接近100％的垂直集成方法，提供比现有技术更高的灵敏度，在不降低各单位像素的灵敏度的情况下实现更复杂的电路，通过防止像素之间的串扰等提高图像传感器的可靠性，通过增加在单位像素中的光电二极管的表面面积而提高光灵敏性的光学特性。

公开(公告)号：CN101271910A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200710153488.1

申请日：2007-09-20

申请人： 东部高科股份有限公司

发明人： 李玟炯

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L27/14609 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14692

摘要： 公开了一种图像传感器，其包括形成于层间介电层的对应金属互连件上的多个像素图案和形成于多个像素图案中的相邻像素图案之间的虚拟像素图案。虚拟像素图案不形成为连接到金属互连件。虚拟像素图案与多个像素图案之间可形成一定的间隔，使得在本征层中虚拟像素图案与像素图案之间形成气隙，其中本征层形成于虚拟像素图案和多个像素图案上。本发明能够抑制像素之间的串扰和噪声。

公开(公告)号：CN101325206B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200710308341.5

申请日：2007-12-29

申请人： 东部高科股份有限公司

发明人： 李玟炯

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L27/14636 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14665 ,  H01L27/14689

摘要： 本发明涉及一种图像传感器及其制造方法。一种图像传感器，包括：具有像素区和外围电路区的半导体衬底；具有形成在半导体衬底上的金属引线和焊盘的层间介电层；选择性地形成在金属引线上的下电极；形成在像素区的层间介电层上的光电二极管；以及形成在光电二极管上的上电极。因此，本发明能够提供晶体管和光电二管的填充因子接近100％的垂直集成方法，提供比现有技术更高的灵敏度，在不降低各单位像素的灵敏度的情况下实现更复杂的电路，通过防止像素之间的串扰等提高图像传感器的可靠性，通过增加在单位像素中的光电二极管的表面面积而提高光灵敏性的光学特性。

公开(公告)号：CN101771062A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200910265289.9

申请日：2009-12-30

申请人： 东部高科股份有限公司

发明人： 李玟炯

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L27/14632 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14806 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种图像传感器和一种图像传感器的制造方法。一种图像传感器可以包括半导体衬底，该半导体衬底可以包括读出电路。一种图像传感器可以包括在半导体衬底之上的层间电介质，和/或在层间电介质上和/或之上的第一金属图案。互连件可以穿过层间电介质和/或可以被连接至读出电路。第一金属图案可以形成在层间电介质之上，和/或可以被连接至互连件。第二金属图案可以形成在第一金属图案之上。光电二极管图案可以形成在第二金属图案之上。

公开(公告)号：CN101271910B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200710153488.1

申请日：2007-09-20

申请人： 东部高科股份有限公司

发明人： 李玟炯

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L27/14609 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14692

摘要： 公开了一种图像传感器，其包括形成于层间介电层的对应金属互连件上的多个像素图案和形成于多个像素图案中的相邻像素图案之间的虚拟像素图案。虚拟像素图案不形成为连接到金属互连件。虚拟像素图案与多个像素图案之间可形成一定的间隔，使得在本征层中虚拟像素图案与像素图案之间形成气隙，其中本征层形成于虚拟像素图案和多个像素图案上。本发明能够抑制像素之间的串扰和噪声。