发明授权
- 专利标题: 制备薄膜光伏器件的方法和薄膜光伏器件
- 专利标题(英): Process of making a thin-film photovoltaic device and thin-film photovoltaic device
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申请号: CN200680048524.1申请日: 2006-12-19
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公开(公告)号: CN101346823B公开(公告)日: 2010-06-23
- 发明人: T·尼森 , V·普罗布斯特
- 申请人: 壳牌可再生能源有限公司
- 申请人地址: 德国汉堡
- 专利权人: 壳牌可再生能源有限公司
- 当前专利权人: 壳牌可再生能源有限公司
- 当前专利权人地址: 德国汉堡
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 王长青
- 优先权: 05112605.0 2005.12.21 EP
- 国际申请: PCT/EP2006/069879 2006.12.19
- 国际公布: WO2007/071663 EN 2007.06.28
- 进入国家日期: 2008-06-20
- 主分类号: H01L31/0336
- IPC分类号: H01L31/0336 ; H01L31/072 ; H01L31/032
摘要:
一种薄膜光伏器件和制备该器件的方法,所述器件包括:第一掺杂型的黄铜矿半导体的第一层;通过化学气相沉积沉积的本征氧化锌的第二层;通过化学气相沉积之外的方法沉积的与第一掺杂型相对的第二掺杂型的氧化锌半导体的第三层;和其中第二层设置在第一层和第三层之间。
公开/授权文献
- CN101346823A 制备薄膜光伏器件的方法和薄膜光伏器件 公开/授权日:2009-01-14