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公开(公告)号：CN118908269A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410973582.5
申请日：2024-07-19
申请人： 广东工业大学
IPC分类号： C01G15/00 , B82Y40/00 , H01L29/786 , H01L29/24 , H01L31/032 , H01L31/113 , G01J1/42
摘要： 本发明属于多层二维半导体光电器件技术领域，公开了一种级联型梯度结构的In2S3纳米片及其制备方法和应用。该级联型梯度结构的In2S3纳米片为表面平整的等边三角形In2S3纳米片连续生长的多层堆叠结构，等边三角形的边长为20～160μm。本发明的级联型梯度结构In2S3纳米片的多层堆叠结构形成的厚度和面积呈梯度递减变化，其层间界面紧密贴合，该材料具有光电响应性能。本发明通过调节氮气的流量、In2S3粉末与氟金云母片之间的距离，In2S3粉末的蒸发温度和蒸发时间制得级联型梯度结构的In2S3纳米片，将该纳米片转移到SiO2/Si衬底，制备的场效晶体管可实现高的光电响应特性，应用在光电探测器件领域。
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公开(公告)号：CN115348948B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202180025410.X
申请日：2021-03-11
申请人： 约翰内斯堡威特沃特斯兰德大学
IPC分类号： C01B17/22 , C01B19/00 , C01G19/00 , H01L31/032
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公开(公告)号：CN117594676B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202311795201.0
申请日：2023-12-25
申请人： 湖北大学
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/113 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种基于In2Se3/Ga2O3异质结结构及其制备方法和应用，涉及光电探测器技术领域。本发明所述的In2Se3/Ga2O3异质结结构，包括Ga2O3薄膜和In2Se3薄膜，其中：所述Ga2O3薄膜和In2Se3薄膜的尺寸均为英寸级。本发明的In2Se3/Ga2O3异质结结构可用于日盲型紫外光电探测器和/或三端场效应晶体管。本发明的日盲型紫外光电探测器，包括：衬底；Ga2O3薄膜；In2Se3薄膜；金电极。本发明的In2Se3/Ga2O3异质结日盲型紫外光电探测器，生长了英寸级的大面积Ga2O3薄膜，并在其上转移了英寸级的大面积In2Se3薄膜。该异质结大大降低了日盲型紫外光电探测器的暗电流并提升了器件的光电性能，使其在低光功率密度下仍然具有优异的光电响应。
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公开(公告)号：CN118888618A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410918436.2
申请日：2024-07-10
申请人： 山东第一医科大学(山东省医学科学院)
IPC分类号： H01L31/032 , C30B29/12 , C30B11/00 , H01L31/08
摘要： 本发明公开了一种混阳离子混卤全无机钙钛矿单晶X射线探测器，所述混阳离子混卤全无机钙钛矿单晶包括Cs、Rb两种A位阳离子和Br、I两种卤素离子，结构式为Cs1‑mRbmPbBr3‑nIn，其中，0≤m≤1、0≤n≤3，本发明涉及X射线探测技术领域。该混阳离子混卤全无机钙钛矿单晶X射线探测器，使用混阳离子混卤全无机钙钛矿单晶制备X射线探测器，其中，混阳离子混卤全无机钙钛矿单晶具有大的电阻率，高的离子激活能，可实现对高通量硬X射线(120keV)大的响应灵敏度，小的暗电流，低的最低检测限和好的稳定性。
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公开(公告)号：CN113728445B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202080015675.7
申请日：2020-08-25
申请人： 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/032
摘要： 本发明提供制造多层薄膜的工艺、以及制造太阳能电池的方法、制造多结太阳能电池的方法、制造太阳能电池组件的方法。所述制造多层薄膜的工艺包括：在第一透明电极上形成包含Cu2O作为主要成分的光电转换层；和将具有形成在所述第一透明电极上的所述光电转换层的构件在氧浓度为5.0×10‑8[g/L]至5.0×10‑5[g/L]的第一气氛下放置1h至1600h。
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公开(公告)号：CN118782678A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410709701.6
申请日：2024-06-03
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0368 , H01L31/102 , C23C14/06 , C23C14/58 , C23C14/08 , C23C14/04 , C23C14/16 , C23C14/30 , C23C14/35
摘要： 本发明属于光电技术领域，提供了一种CCZTSe吸收层的制备方法，包括以下步骤：S1：在衬底上多源共蒸发沉积制备CCZTSe前驱体；S2：将所述CCZTSe前驱体置于退火炉中，通入H2Se气体和保护气体，在100℃～400℃用脉冲激光进行交叉线扫描，得到所述CCZTSe吸收层，所述CCZTSe吸收层为铜基多晶半导体材料薄膜。相较于传统的低温工艺，本发明提供的CCZTSe吸收层的制备方法采用脉冲激光辅助生长后，结晶质量变高，大幅度降低退火温度，器件的暗电流密度降低约5μA/cm2，外量子效率提升约30％。
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公开(公告)号：CN118763152A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411216597.3
申请日：2024-09-02
申请人： 广东工业大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/032 , H01L31/109 , H01L21/02
摘要： 本发明属于二维材料光电探测器技术领域，涉及一种TMDs合金纳米片的制备方法及其作为钝化层和增益层的高性能光电探测器。本发明以WS2和WSe2的混合物作为反应物，通过双向气流的物理气相沉积技术制备得到二维WS2(1‑x)WSe2x合金纳米片，进而与二维In2S3复合制得光电探测器。通过采用双向气流的物理气相沉积法，通过改变惰性的气体的流向和调控其流速，实现大尺寸、厚度均匀二维WS2(1‑x)WSe2x合金的制备，尺寸最高可达400μm。再利用制备的二维WS2(1‑x)WSe2x合金作为钝化层和增益层，减少衬底的有害影响，降低上层二维In2S3中光载流子的复合几率，显著提升光电探测器性能。
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公开(公告)号：CN118763141A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410734380.5
申请日：2024-06-07
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/032
摘要： 本发明公开了一种高质量ε‑Ga2O3外延薄膜的快速生长方法，主要解决现有ε‑Ga2O3外延薄膜结晶质量差、缺陷密度高及生长速率低的问题。其实现方案为：选取衬底并进行清洗；将清洗后的衬底放入MOCVD的反应腔内进行退火处理；向反应室同时通入O2和两种不同流入方式的N2，获得O原子、Ga原子及间歇性的Sn原子，通过Ga原子和Sn原子两者之间的金属交换机制，促进Ga原子与O原子的快速反应结合，以在退火后的衬底上生长ε‑Ga2O3外延薄膜，再对其进行冷却处理，完成外延薄膜的制备。本发明通过优化工艺参数显著降低了外延薄膜的缺陷密度，同时提升了薄膜的生长速率和结晶质量，可用于紫外光检测器和高频传感器的高效制备。
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公开(公告)号：CN118738213A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410831780.8
申请日：2024-06-26
申请人： 西北工业大学 , 西北工业大学深圳研究院
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/115 , H01L31/032 , H01L31/0236
摘要： 本发明提供了一种纸基钙钛矿X射线探测器的制备方法，解决了现有制备方法无法兼顾无铅元素、制备工艺简单且环境友好的柔性钙钛矿X射线探测器件的制备要求。该方法基于研磨后的微米级钙钛矿粉末，采用全干磨损方法在纸张基底表面制备钙钛矿薄膜，接着利用磁控溅射技术制备金属电极并利用导线引出，然后对器件进行封装以隔绝空气中的水分及氧气，成功实现了无铅元素、制备工艺简单且环境友好的纸基X射线探测器的构筑，且在较高电压下能够实现对X射线的稳定探测。
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公开(公告)号：CN118738169A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410802975.X
申请日：2024-06-20
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/075 , H01L31/20
摘要： 一种提升硅化合物异质结太阳电池效率的方法，属于太阳能电池领域。将V:MoOX作为硅化合物异质结太阳电池入光面的空穴传输层，得到的器件从上到下依次设置为：金属Ag电极、ITO透明电极层、V:MoOX空穴传输层、i‑a‑Si:H层、n‑c‑Si层、i‑a‑Si:H层、n‑a‑Si:H层、ITO透明电极层、金属Ag电极。由于V:MoOX的宽带隙、高功函，可以减小太阳电池的寄生吸收和光损耗，并增大空穴传输层对空穴的选择性抽取能力，最终使得太阳电池的短路电流密度(JSC)、填充系数(FF)、开路电压(VOC)、转化效率(PCE)均有所提高。
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