发明公开
CN101355069A 具有通孔硅的半导体封装及相关的制造方法
无效 - 撤回
- 专利标题： 具有通孔硅的半导体封装及相关的制造方法
- 专利标题（英）： Semiconductor packages with through hole silicon and method of fabricating the same
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申请号： CN200810161102.6申请日： 2008-05-14
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公开(公告)号： CN101355069A公开(公告)日： 2009-01-28
- 发明人: 张衡善 , 姜芸炳 , 权云星 , 权容载 , 李忠善 , 李东镐
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 戎志敏
- 优先权： 10－2007－0048911 2007.05.18 KR; 10－2007－0123811 2007.11.30 KR; 12/045,840 2008.03.11 US
- 主分类号： H01L23/485
- IPC分类号： H01L23/485 ; H01L21/60 ; H01L27/146 ; H01L27/148
摘要：
在半导体封装中，电极具有延伸穿过半导体衬底的第一部分和从第一部分延伸穿过复合层以到达导电焊盘的第二部分。
IPC分类:
