公开(公告)号：CN102136486B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201010622415.4

申请日：2010-12-30

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 张衡善 ,  权云星 ,  赵泰济 ,  姜芸炳 ,  金晶焕

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14687 ,  H01L2224/13

摘要： 本发明提供了一种半导体封装件。该半导体封装件包括：半导体芯片，具有第一表面、第二表面和像素区域；第一粘合图案，设置在第一表面上；第二粘合图案，设置在第一粘合图案和像素区域之间并设置在第一表面上；多个外部连接端子，设置在第二表面上，其中，第二粘合图案和外部连接端子设置为彼此叠置。

公开(公告)号：CN101325167B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200810144670.5

申请日：2008-04-18

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 姜芸炳 ,  权容焕 ,  李忠善 ,  权云星 ,  张衡善

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/482

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/11 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2924/00

摘要： 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成扩散阻挡层，和在衬底上形成至少两个部件，从而扩散阻挡层分别设置在每个部件和衬底之间并接触所述至少两个部件。衬底的第一杂质区含有第一类型杂质，衬底的第二杂质区含有不同于第一类型的第二类型杂质，所述至少两个部件中的第一部件位于第一杂质区，所述至少两个部件中的第二部件位于第二杂质区，从而通过不同杂质区第二部件与第一部件电隔离。

公开(公告)号：CN114843242A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202210076367.6

申请日：2022-01-21

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金嘉映 ,  张衡善

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/00

摘要： 一种半导体封装包括：半导体芯片，包括在第一表面上的芯片焊盘；第一绝缘层，布置在半导体芯片上，并包括暴露芯片焊盘的绝缘孔；重分布图案，包括重分布通孔图案和重分布线图案，该重分布通孔图案布置在第一绝缘层的被配置为限定第一绝缘孔的内表面上且在芯片焊盘的表面上，该重分布线图案布置在第一绝缘层的表面上；以及凸块下金属(UBM)，沿着重分布图案的表面共形布置；以及连接端子，布置在UBM上，其中，重分布线图案和UBM提供具有在朝向半导体芯片的第一表面的方向上突出的形状的虚设空间，并且一部分连接端子填充该虚设空间。

公开(公告)号：CN114093828A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202110814055.6

申请日：2021-07-19

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 尹汝勋 ,  张衡善

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/488

摘要： 半导体封装包括：芯片级单元，包括半导体芯片；中间级单元；以及焊球单元。焊球单元将连接到电路基板。中间级单元包括：布线焊盘层，在第一保护层上；第二保护层，在第一保护层上并且包括焊盘暴露孔；接线柱层，在布线焊盘层上的焊盘暴露孔中；以及第三保护层，在第二保护层上并且包括接线柱暴露孔。接线柱暴露孔的宽度或直径小于焊盘暴露孔的宽度或直径；并且阻挡层在接线柱层上设置在接线柱暴露孔中。焊球单元包括阻挡层上的焊球。

公开(公告)号：CN111192859A

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201910600336.4

申请日：2019-07-04

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 张衡善 ,  尹汝勳

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/488

摘要： 本公开提供一种晶片级半导体封装及一种晶片级半导体封装模块。所述晶片级半导体封装包括：半导体芯片，包括第一表面及第二表面；重布线层，在所述半导体芯片的所述第一表面上；凸块下金属(UBM)层，在所述重布线层上；以及焊料凸块，在所述凸块下金属层上，且所述焊料凸块覆盖所述凸块下金属层的两个外侧表面。本公开的晶片级半导体封装可提高耐久性。

公开(公告)号：CN102136486A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN201010622415.4

申请日：2010-12-30

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 张衡善 ,  权云星 ,  赵泰济 ,  姜芸炳 ,  金晶焕

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14687 ,  H01L2224/13

摘要： 本发明提供了一种半导体封装件。该半导体封装件包括：半导体芯片，具有第一表面、第二表面和像素区域；第一粘合图案，设置在第一表面上；第二粘合图案，设置在第一粘合图案和像素区域之间并设置在第一表面上；多个外部连接端子，设置在第二表面上，其中，第二粘合图案和外部连接端子设置为彼此叠置。

公开(公告)号：CN101355069A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810161102.6

申请日：2008-05-14

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 张衡善 ,  姜芸炳 ,  权云星 ,  权容载 ,  李忠善 ,  李东镐

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L27/146 ,  H01L27/148

CPC分类号： H01L2924/0002 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

摘要： 在半导体封装中，电极具有延伸穿过半导体衬底的第一部分和从第一部分延伸穿过复合层以到达导电焊盘的第二部分。

公开(公告)号：CN101325167A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200810144670.5

申请日：2008-04-18

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 姜芸炳 ,  权容焕 ,  李忠善 ,  权云星 ,  张衡善

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/482

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/11 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种制造具有均匀涂层厚度的半导体器件的方法及相关器件。一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成扩散阻挡层，和在衬底上形成至少两个部件，从而扩散阻挡层分别设置在每个部件和衬底之间并接触所述至少两个部件。衬底的第一杂质区含有第一类型杂质，衬底的第二杂质区含有不同于第一类型的第二类型杂质，所述至少两个部件中的第一部件位于第一杂质区，所述至少两个部件中的第二部件位于第二杂质区，从而通过不同杂质区第二部件与第一部件电隔离。