发明授权
- 专利标题： 双极晶体管FINFET技术
- 专利标题（英）： Bipolar transistor FINFET technology
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申请号： CN200810131038.7申请日： 2008-08-13
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公开(公告)号： CN101369577B公开(公告)日： 2013-03-27
- 发明人: R·卡科施克 , K·施吕菲尔
- 申请人： 英飞凌科技股份公司
- 申请人地址： 德国新比贝格
- 专利权人： 英飞凌科技股份公司
- 当前专利权人： 英飞凌科技股份公司
- 当前专利权人地址： 德国新比贝格
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 柯广华; 王忠忠
- 优先权： 11/837,972 2007.08.13 US
- 主分类号： H01L27/02
- IPC分类号： H01L27/02 ; H01L27/06 ; H01L27/12 ; H01L29/72 ; H01L21/331 ; H01L21/82 ; H01L21/8249 ; H01L21/84
摘要：
除其它内容外，本文论述了具有在衬底上的至少一个CMOS晶体管和在衬底上的至少一个鳍式双极晶体管的设备及制作设备的方法。
公开/授权文献
- CN101369577A 双极晶体管FINFET技术 公开/授权日：2009-02-18
IPC分类:
