发明公开
CN101438368A 防止寄生的子波束影响离子植入的技术
失效 - 权利终止
- 专利标题: 防止寄生的子波束影响离子植入的技术
- 专利标题(英): Techniques for reducing effects of photoresist outgassing
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申请号: CN200680047932.5申请日: 2006-12-06
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公开(公告)号: CN101438368A公开(公告)日: 2009-05-20
- 发明人: 拉塞尔·J·罗 , 乔纳森·G·英格兰 , 史蒂夫·E·克劳斯 , 艾立克·D·赫尔曼森
- 申请人: 瓦里安半导体设备公司
- 申请人地址: 美国麻萨诸塞州
- 专利权人: 瓦里安半导体设备公司
- 当前专利权人: 瓦里安半导体设备公司
- 当前专利权人地址: 美国麻萨诸塞州
- 代理机构: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司
- 代理商 寿宁
- 优先权: 60/748,068 2005.12.07 US
- 国际申请: PCT/US2006/046425 2006.12.06
- 国际公布: WO2007/067552 EN 2007.06.14
- 进入国家日期: 2008-06-19
- 主分类号: H01J3/14
- IPC分类号: H01J3/14
摘要:
本发明揭示用于防止寄生的子波束影响离子植入的技术。在一个特定的示范性实施例中,所述技术可实现为一种用于防止寄生的子波束影响离子植入的设备。所述设备可包括经配置以来回地扫描点波束进而形成横跨预定宽度的离子波束的控制器。所述设备还可包括小孔机构,其在保持固定时允许点波束穿过。所述设备可进一步包括同步机构,其耦合到控制器和小孔机构,且经配置以致使小孔机构与经扫描的点波束同步地移动,从而允许经扫描的点波束穿过,但阻挡与点波束相关联的一个或一个以上寄生的子波束。
公开/授权文献
- CN101438368B 防止寄生的子波束影响离子植入的技术 公开/授权日:2012-07-25