利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明授权
CN101461044B 没有残余物的硬掩模修整 有权

  • 专利标题： 没有残余物的硬掩模修整
  • 专利标题（英）： Residue free hardmask trim
  • 申请号： CN200780020952.8
    申请日： 2007-06-01
  • 公开(公告)号： CN101461044B
    公开(公告)日： 2013-09-04
  • 发明人: 汤姆·A·坎普
  • 申请人： 朗姆研究公司
  • 申请人地址： 美国加利福尼亚州
  • 专利权人： 朗姆研究公司
  • 当前专利权人： 朗姆研究公司
  • 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
  • 代理机构： 上海胜康律师事务所
  • 代理商 周文强; 李献忠
  • 优先权： 11/448,246 2006.06.05 US
  • 国际申请： PCT/US2007/070270 2007.06.01
  • 国际公布： WO2007/143585 EN 2007.12.13
  • 进入国家日期： 2008-12-05
  • 主分类号： H01L21/3213
  • IPC分类号： H01L21/3213 ;  H01L21/311
没有残余物的硬掩模修整
摘要：
提供一种将特征蚀刻进多晶硅层的方法。硬掩模层提供在该多晶硅层之上。光刻胶掩模形成在该硬掩模层之上。通过该光刻胶掩模蚀刻该硬掩模层以形成图案化硬掩模。通过提供包含氧气和含氟化合物的不含碳修整气体来修整该图案化硬掩模，由该修整气体形成等离子，和并且修整该硬掩模。通过该硬掩模将特征蚀刻进该多晶硅层。
公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31 .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205 ......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）
H01L21/321 .......后处理
H01L21/3213 ........对该层进行物理的或化学的腐蚀，例如由预沉积的外延层产生一个形成图形的层
0/0