发明授权
CN101465385B 电容结构 失效 - 权利终止

电容结构
摘要:
本发明提供一种电容结构,包括:多个第一导线,平行设置于基底上的导电层中,上述多个第一导线彼此分离且分为第一电极群组与第二电极群组,第一电极群组的第一导线与第二电极群组的第一导线是交替设置的;绝缘层,形成于上述多个第一导线上并填入上述多个第一导线间的区域;第二导线,形成于上述绝缘层上并电性连接于第一电极群组的上述多个第一导线;以及第三导线,形成于上述绝缘层上并电性连接于上述第二电极群组的上述多个第一导线。本发明的电容结构能具有更小的电容干扰,保证更稳定的工作。
公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件(H01L31/00至H01L47/00,H01L51/05优先;除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00;由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00)
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/86 ..只能通过对一个或多个通有待整流,放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的(H01L29/96优先)
H01L29/92 ...有电位跃变势垒或表面势垒的电容器
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