发明授权
CN101465385B 电容结构
失效 - 权利终止
- 专利标题: 电容结构
- 专利标题(英): Capacitor structure
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申请号: CN200810212161.1申请日: 2008-09-09
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公开(公告)号: CN101465385B公开(公告)日: 2012-10-03
- 发明人: 杨明宗
- 申请人: 联发科技股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾新竹科学工业园区新竹市笃行一路一号
- 专利权人: 联发科技股份有限公司
- 当前专利权人: 联发科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾新竹科学工业园区新竹市笃行一路一号
- 代理机构: 北京万慧达知识产权代理有限公司
- 代理商 葛强; 张一军
- 优先权: 11/960,950 2007.12.20 US
- 主分类号: H01L29/92
- IPC分类号: H01L29/92 ; H01L27/02 ; H01L27/06 ; H01L27/08 ; H01L23/522
摘要:
本发明提供一种电容结构,包括:多个第一导线,平行设置于基底上的导电层中,上述多个第一导线彼此分离且分为第一电极群组与第二电极群组,第一电极群组的第一导线与第二电极群组的第一导线是交替设置的;绝缘层,形成于上述多个第一导线上并填入上述多个第一导线间的区域;第二导线,形成于上述绝缘层上并电性连接于第一电极群组的上述多个第一导线;以及第三导线,形成于上述绝缘层上并电性连接于上述第二电极群组的上述多个第一导线。本发明的电容结构能具有更小的电容干扰,保证更稳定的工作。
公开/授权文献
- CN101465385A 电容结构 公开/授权日:2009-06-24
IPC分类: