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    电容器阵列结构及其制备方法
    2.
    发明授权
    电容器阵列结构及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN108538835B

    公开(公告)日：2024-02-06

    申请号：CN201810466991.0

    申请日：2018-05-16

    申请人： 长鑫存储技术有限公司

    发明人： 请求不公布姓名

    IPC分类号： H01L27/08 ,  H01L29/92

    摘要： 本发明提供一种电容器阵列结构及其制备方法，该方法包括：1）提供一半导体衬底，于半导体衬底上形成叠层结构；2）于叠层结构上形成图形化掩膜层，基于图形化掩膜层于叠层结构中刻蚀出多个电容孔；3）于电容孔的底部及侧壁形成下电极层，支撑层连接下电极层；4）去除牺牲层；5）对下电极层进行氮离子等离子体扩散工艺，氮离子扩散进入下电极层的内表面及外表面；6）于下电极层的内表面及外表面形成电容介质层，于电容介质层的外表面形成上电极层。通过对下电极层进行氮离子等离子体扩散工艺处理，有效提高了电容器的电连接稳定性及电荷存储能力，同时降低了电容器的漏电率。

    电容器和制备电容器的方法
    3.
    发明授权
    电容器和制备电容器的方法 有权

    公开(公告)号：CN111615751B

    公开(公告)日：2023-02-28

    申请号：CN201880002918.6

    申请日：2018-12-25

    申请人： 深圳市汇顶科技股份有限公司

    发明人： 陆斌 ,  沈健

    IPC分类号： H01L29/92

    摘要： 本申请实施例公开了一种电容器和制备电容器的方法。所述电容器包括：电极层，包括相互分离的第一电极和第二电极；叠层结构，包括n层电介质层和n+1层导电层，所述n层电介质层和所述n+1层导电层形成导电层与电介质层彼此相邻的结构，所述叠层结构形成至少两个柱状结构，n为正整数；互联结构，用于将所述n+1层导电层中的奇数层导电层电连接至所述第一电极，将所述n+1层导电层中的偶数层导电层电连接至所述第二电极。本申请实施例的技术方案，能够提高电容器的容值密度。

    堆叠在用于高压隔离电容器的裸片上的叠层
    4.
    发明公开
    堆叠在用于高压隔离电容器的裸片上的叠层 审中-实审

    公开(公告)号：CN115004334A

    公开(公告)日：2022-09-02

    申请号：CN202180011460.2

    申请日：2021-03-02

    申请人： 德州仪器公司

    发明人： 托马斯·戴尔·博尼菲尔德

    IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L29/92

    摘要： 一种隔离器装置(100)包含具有电介质叠层材料(121)的叠层裸片(120)，在所述电介质叠层材料的一个侧上具有金属叠层(122)，所述金属叠层是提供至少第一板(122a)的图案化层，所述图案化层包含所述第一板上方的电介质层(126)，所述电介质层包含暴露所述第一板的一部分的孔隙。包含具有半导体表面的衬底(105)的集成电路(IC)(150)包含含有传输器及/或接收器的电路(180)，所述IC包含提供耦合到所述电路中的节点的至少第二板(152a)的顶部金属层(152)，在所述顶部金属层上具有至少一个钝化层(156)。非导电裸片附接(NCDA)材料(136)用于将所述电介质叠层材料的与所述金属叠层相对的一侧附接到所述IC，使得所述第一板至少部分位于所述第二板上方以提供电容器。

    一种基于金-黑磷烯的负微分电阻场效应晶体管及其制备
    6.
    发明授权
    一种基于金-黑磷烯的负微分电阻场效应晶体管及其制备 有权

    公开(公告)号：CN108206214B

    公开(公告)日：2021-02-02

    申请号：CN201611169169.5

    申请日：2016-12-16

    申请人： 同济大学

    发明人： 张静 ,  柯三黄

    IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L29/92 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

    摘要： 本发明涉及一种基于金‑黑磷烯的负微分电阻场效应晶体管及其制备，所述的负微分电阻场效应晶体管包括构成源极和漏极的两个金电极，位于两个金电极之间的中间散射区的二维层状材料黑磷烯，以及位于所述黑磷烯两边的栅极，其中，所述黑磷烯的两端分别与所述两个金电极接触耦合。与现有技术相比，本发明采用的黑磷烯具有独特的直接带隙半导体的电子特性，沿着锯齿(zigzag)型方向排列的黑磷烯与金电极(100)表面接触，可以形成独特的电子整流和负微分电阻效应，此外，负微分电阻效应在门电压的作用下也比较稳定，与器件的半导体衬底材料无关，该负微分电阻晶体器件优良，结构新颖，可以广泛应用于半导体纳米晶体器件当中。

    电容器阵列结构及其制备方法
    8.
    发明公开
    电容器阵列结构及其制备方法 审中-实审 转让

    公开(公告)号：CN108538835A

    公开(公告)日：2018-09-14

    申请号：CN201810466991.0

    申请日：2018-05-16

    申请人： 睿力集成电路有限公司

    发明人： 不公告发明人

    IPC分类号： H01L27/08 ,  H01L29/92

    摘要： 本发明提供一种电容器阵列结构及其制备方法，该方法包括：1）提供一半导体衬底，于半导体衬底上形成叠层结构；2）于叠层结构上形成图形化掩膜层，基于图形化掩膜层于叠层结构中刻蚀出多个电容孔；3）于电容孔的底部及侧壁形成下电极层，支撑层连接下电极层；4）去除牺牲层；5）对下电极层进行氮离子等离子体扩散工艺，氮离子扩散进入下电极层的内表面及外表面；6）于下电极层的内表面及外表面形成电容介质层，于电容介质层的外表面形成上电极层。通过对下电极层进行氮离子等离子体扩散工艺处理，有效提高了电容器的电连接稳定性及电荷存储能力，同时降低了电容器的漏电率。

    一种MIM电容及其制造方法
    9.
    发明授权
    一种MIM电容及其制造方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN105070707B

    公开(公告)日：2018-01-02

    申请号：CN201510415355.1

    申请日：2015-07-16

    申请人： 江苏中电振华晶体技术有限公司

    发明人： 马远 ,  吴勇 ,  周健杰

    IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/02 ,  H01L29/92

    摘要： 本发明涉及一种MIM电容，包括衬底，所述衬底为一蓝宝石单晶晶片，在其上表面和下表面均依次沉积有过渡层和金属层；一种上述MIM电容的制造方法，所述方法步骤具体如下：（1）将蓝宝石晶体通过单线切割或掏料钻钻取的方式加工成单晶晶棒；（2）将单晶晶棒在多线切割机上切割加工成单晶晶片；（3）将单晶晶片清洗干净后作为沉积衬底，在衬底两面先沉积过渡层；（4）再在过渡层的基础上沉积金属层；（5）以金属层作为电极，引出接线端；（6）完成上述MIM电容的封装。本发明的优点在于：蓝宝石作为介质材料，电阻率高、介电损耗小，抗电强度高；单晶结构一致使抗电强度Ep在材料内的分布均匀性非常好，没有击穿风险，提高了MIM电容的稳定性。

    电容结构及电容阵列
    10.
    发明公开
    电容结构及电容阵列 有权

    公开(公告)号：CN106098800A

    公开(公告)日：2016-11-09

    申请号：CN201610471343.5

    申请日：2016-06-23

    申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所

    发明人： 廖望 ,  高炜祺 ,  雷郎成 ,  刘虹宏 ,  赵思源 ,  苏晨 ,  刘文喆

    IPC分类号： H01L29/92 ,  H01L27/02

    CPC分类号： H01L29/92 ,  H01L27/02

    摘要： 本发明提供一种电容结构及电容阵列，该电容结构包括上极板和下极板，其中上极板包括主上极板和次上极板，主上极板与公共端连接，次上极板接地，且主上极板与下极板构成主电容，次上极板与下极板构成次电容。本发明通过在电容结构中设置有主上极板和次上极板，并使对应的主电容参与电荷重分配，次电容不参与电荷重分配，通过修改主上极板的面积可以改变主电容的电容值，从而使电容结构具有不同的分数倍电容值，并且在使用电容结构时通过使各个电容结构中主上极板与次上极板的面积之和相等，可以解决使用多个电容值大小不同的电容结构时存在的电容失配的问题。