发明授权
- 专利标题: 用于确定晶片温度的方法
- 专利标题(英): Methods for determining wafer temperature
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申请号: CN200780032373.5申请日: 2007-06-29
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公开(公告)号: CN101512744B公开(公告)日: 2011-07-06
- 发明人: 保罗·J·蒂曼斯
- 申请人: 马特森技术公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 马特森技术公司
- 当前专利权人: 玛特森技术公司,北京屹唐半导体科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 吴艳
- 优先权: 11/478,312 2006.06.29 US
- 国际申请: PCT/US2007/072488 2007.06.29
- 国际公布: WO2008/003080 EN 2008.01.03
- 进入国家日期: 2009-02-27
- 主分类号: H01L21/66
- IPC分类号: H01L21/66
摘要:
本发明提供了用于晶片温度测量和温度测量器件校准的方法和装置,它们可基于对半导体晶片中层的吸收的确定而实现。所述吸收的确定可通过朝晶片引导光并测量从光所入射的表面下被晶片反射的光而实现。校准晶片和测量系统可布置和构造成使得以相对晶片表面预定角度反射的光被测量,而其它光不会。测量还可基于评价晶片中或晶片上的图案的像的对比度。其它测量法可采用确定晶片内光程长度以及根据反射或透射光的温度测量。
公开/授权文献
- CN101512744A 用于确定晶片温度的方法 公开/授权日:2009-08-19