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    用于确定晶片温度的方法
    1.
    发明授权
    用于确定晶片温度的方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN101512744B

    公开(公告)日：2011-07-06

    申请号：CN200780032373.5

    申请日：2007-06-29

    申请人： 马特森技术公司

    发明人： 保罗·J·蒂曼斯

    IPC分类号： H01L21/66

    CPC分类号： G01K15/00 ,  G01J5/0007 ,  G01J5/0806 ,  G01J5/0831 ,  G01J5/0846 ,  G01K11/125

    摘要： 本发明提供了用于晶片温度测量和温度测量器件校准的方法和装置，它们可基于对半导体晶片中层的吸收的确定而实现。所述吸收的确定可通过朝晶片引导光并测量从光所入射的表面下被晶片反射的光而实现。校准晶片和测量系统可布置和构造成使得以相对晶片表面预定角度反射的光被测量，而其它光不会。测量还可基于评价晶片中或晶片上的图案的像的对比度。其它测量法可采用确定晶片内光程长度以及根据反射或透射光的温度测量。

    用于减少衬底处理室中的杂散光的设备和方法
    3.
    发明公开
    用于减少衬底处理室中的杂散光的设备和方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN1695229A

    公开(公告)日：2005-11-09

    申请号：CN03824898.0

    申请日：2003-07-22

    申请人： 马特森技术公司

    发明人： 保罗·J·蒂曼斯

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L21/67248 ,  F27B5/04 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/67115

    摘要： 公开了一种用于在热处理室中加热半导体晶片的方法和设备。该设备包括非接触测温系统，该非接触测温系统利用诸如高温计的辐射探测装置在处理期间判决晶片的温度。该辐射探测装置通过监视晶片在特定波长处发射的辐射量判决晶片的温度。根据本发明，该设备中包括光谱过滤器，用于过滤灯在辐射探测装置的工作波长处发射的光，该灯用于加热晶片。该光谱过滤器包括光吸收剂，例如稀土元素、稀土元素的氧化物、光吸收染料、金属或半导体材料。

    用于对处理物体进行加工的系统
    7.
    发明授权
    用于对处理物体进行加工的系统 失效 转让

    公开(公告)号：CN1934404B

    公开(公告)日：2011-12-14

    申请号：CN200480021056.X

    申请日：2004-07-21

    申请人： 马特森技术公司

    发明人： 保罗·J·蒂曼斯 ,  丹尼尔·J·迪瓦恩 ,  李荣载 ,  胡耀志 ,  彼得·C·博迪加

    IPC分类号： F27D11/00

    CPC分类号： H01L21/67115 ,  F27B17/0025

    摘要： 介绍了可定制的室光谱响应，其至少可用于修改室性能，用于晶片加热、晶片冷却、温度测量和散射光。在一个方案中，介绍了一种用于加工处理物体的系统，处理物体具有在处理物体温度下的给定发射光谱，其使处理物体产生处理物体辐射的能量。室以第一方式响应加热配置辐射的能量并以第二方式响应入射在其上的处理物体辐射的能量。室可以按通过反射大部分的热源辐射能量的第一方式响应以及按通过吸收大部分的处理物体辐射能量的第二方式响应。可以根据设计考虑用选择性反射率处理室的不同部分以针对具体的室性能参数实现目的。

    确定半导体晶片的光学属性的方法与系统
    8.
    发明公开
    确定半导体晶片的光学属性的方法与系统 无效

    公开(公告)号：CN101258387A

    公开(公告)日：2008-09-03

    申请号：CN200680032427.3

    申请日：2006-06-29

    申请人： 马特森技术公司

    发明人： 保罗·J·蒂曼斯

    IPC分类号： G01J5/00

    CPC分类号： H01L21/67115 ,  G01J5/0003 ,  G01N21/55 ,  H01L21/67248 ,  H01L22/24

    摘要： 公开了用于确定例如半导体晶片的衬底的至少一个光学特性的方法与系统。一旦确定光学特性，那么，为了改善工艺处理，可以控制在工艺处理室中的至少一个参数。例如，在一个实施例中，处于室温或接近于室温时，首先确定衬底中一个面的反射率。由该信息，将可以精确估计在高温处理期间晶片的反射比与/或发射比。在晶片处理期间，使用高温计，可用发射比校正温度测量。除了进行更加精确的温度测量之外，衬底的光学特性也能够用于更好的优化加热循环。

    用于减少衬底处理室中的杂散光的设备和方法
    9.
    发明授权
    用于减少衬底处理室中的杂散光的设备和方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN100364038C

    公开(公告)日：2008-01-23

    申请号：CN03824898.0

    申请日：2003-07-22

    申请人： 马特森技术公司

    发明人： 保罗·J·蒂曼斯

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L21/67248 ,  F27B5/04 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/67115

    摘要： 公开了一种用于在热处理室中加热半导体晶片的方法和设备。该设备包括非接触测温系统，该非接触测温系统利用诸如高温计的辐射探测装置在处理期间判决晶片的温度。该辐射探测装置通过监视晶片在特定波长处发射的辐射量判决晶片的温度。根据本发明，该设备中包括光谱过滤器，用于过滤灯在辐射探测装置的工作波长处发射的光，该灯用于加热晶片。该光谱过滤器包括光吸收剂，例如稀土元素、稀土元素的氧化物、光吸收染料、金属或半导体材料。

    辐射罩
    10.
    发明公开
    辐射罩 有权 转让

    公开(公告)号：CN1879001A

    公开(公告)日：2006-12-13

    申请号：CN200480033393.0

    申请日：2004-11-10

    申请人： 马特森技术公司

    发明人： 丹尼尔·J·迪瓦恩 ,  李荣载 ,  保罗·J·蒂曼斯 ,  弗兰克·A·莱马

    IPC分类号： F27D11/00

    CPC分类号： H01L21/67115 ,  F27B17/0025 ,  F27D5/0037

    摘要： 作为通过对工件施加受控的热量处理工件(122)的系统的一部分，加热装置包括间隔开的加热元件(102)阵列，用于与工件保持相对的关系，使得工件承受所产生的直接辐射。辐射罩(200)包括多个元件(207)，所述元件被支撑为可以在以下位置之间移动，(i)缩回位置，该位置允许直接辐射到达工件，和(ii)展开位置，在该位置中多个元件以至少部分地阻挡直接辐射到达工件并且吸收由工件发出和发射的辐射的方式相配合，因而获得与先前相比对时间－温度轮廓线更大的控制。至少某些元件(207)在相邻的加热元件(102)之间以这些特定的元件在缩回和展开位置之间移动的方式移动。可以使用管状、弯曲、板状元件结构。