C-平面蓝宝石方法和设备
Abstract:
本发明揭示了一种用来制备C-平面单晶蓝宝石的方法和设备。所述方法和设备可以使用边缘限制的膜进料生长技术来制备具有低多晶性和/或低位错密度的单晶材料。
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