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公开(公告)号：CN105189837A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480024263.4
申请日：2014-03-14
申请人： 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
IPC分类号： C30B29/20
CPC分类号： C30B15/34 , C01F7/02 , C30B29/20 , Y10T117/1044 , Y10T428/2976
摘要： 本公开涉及用于通过边缘限定薄膜供料生长方法(EFG)形成蓝宝石带的设备和方法。此外，本公开涉及具有比如为低尺寸差异度和消除在一批次中同时生长的蓝宝石带之间的空隙的特征的多个同时培植的蓝宝石带。
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公开(公告)号：CN101194141B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN200680020530.6
申请日：2006-06-09
申请人： 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
CPC分类号： B32B17/1077 , B32B17/10009 , B32B17/10045 , B32B17/10761 , B32B17/10853 , B32B2369/00 , B33Y30/00 , F41H5/0407 , F41H5/0414 , F41H5/0428
摘要： 提供了一种陶瓷复合物及其制造方法。该陶瓷复合物可以是透明的，并且可充当透明铠板。该复合物的陶瓷部分可以是单晶蓝宝石。该复合物可相对于射弹的攻击提供充分保护，同时具有大表面积和较低的面密度。
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公开(公告)号：CN103203671B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201310138565.1
申请日：2008-06-25
申请人： 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
摘要： 在此披露了改变一个单晶体的晶体取向的一种方法，该方法包括以下步骤：表征该单晶体的一个晶体取向并且计算一C个取向偏离角，该取向偏离角是在该单晶体的一个选定的晶体方向与沿着该单晶体的一个第一外部主表面的平面的晶体方向的一个投影之间。该方法进一步包括从该第一外部主表面的至少一部分上除去材料以改变该取向偏离角。
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公开(公告)号：CN101743092A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200880020569.7
申请日：2008-06-25
申请人： 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
摘要： 在此披露了改变一个单晶体的晶体取向的一种方法，该方法包括以下步骤：表征该单晶体的一个晶体取向并且计算一个取向偏离角，该取向偏离角是在该单晶体的一个选定的晶体方向与沿着该单晶体的一个第一外部主表面的平面的晶体方向的一个投影之间。该方法进一步包括从该第一外部主表面的至少一部分上除去材料以改变该取向偏离角。
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公开(公告)号：CN103256861A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310130007.0
申请日：2006-06-09
申请人： 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
CPC分类号： B32B17/1077 , B32B17/10009 , B32B17/10045 , B32B17/10761 , B32B17/10853 , B32B2369/00 , B33Y30/00 , F41H5/0407 , F41H5/0414 , F41H5/0428
摘要： 本发明关于一种复合物透明铠板。具体而言，本发明提供了一种陶瓷复合物及其制造方法。该陶瓷复合物可以是透明的，并且可充当透明铠板。该复合物的陶瓷部分可以是单晶蓝宝石。该复合物可相对于射弹的攻击提供充分保护，同时具有大表面积和较低的面密度。
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公开(公告)号：CN101835927B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200880112517.2
申请日：2008-10-22
申请人： 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
摘要： 在此提供了一种闪烁体晶体以及用于生长闪烁体晶体的一种方法，该晶体包括一种生成态的限边送膜生长(EFG)的单晶体。该生成态EFG单晶体具有一个本体，该本体具有厚度、宽度、和长度使得厚度＜宽度＜长度，并且该本体具有的垂直于该长度的截面积为不小于约16mm2。
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公开(公告)号：CN101835927A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200880112517.2
申请日：2008-10-22
申请人： 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
摘要： 在此提供了一种闪烁体晶体以及用于生长闪烁体晶体的一种方法，该晶体包括一种生成态的限边送膜生长(EFG)的单晶体。该生成态EFG单晶体具有一个本体，该本体具有厚度、宽度、和长度使得厚度＜宽度＜长度，并且该本体具有的垂直于该长度的截面积为不小于约16mm2。
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公开(公告)号：CN105051266A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201480015921.3
申请日：2014-03-14
申请人： 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
CPC分类号： C30B15/34 , C01F7/02 , C30B29/20 , Y10T117/1044 , Y10T428/2976
摘要： 本公开涉及一种用于通过边缘限定薄膜供料生长方法(EFG)培植蓝宝石晶片的设备和方法，该设备包括相对于模具端头的侧表面倾斜的热屏蔽层。本公开进一步涉及一种具有比如特定的最大低点厚度的特征的蓝宝石晶片和这种晶片的批次。
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公开(公告)号：CN102965729A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210448547.9
申请日：2007-09-21
申请人： 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
IPC分类号： C30B29/20
CPC分类号： C30B15/206 , C30B15/14 , C30B15/34 , C30B29/20 , Y10T117/1092 , Y10T428/23986
摘要： 本发明揭示了一种C-平面单晶蓝宝石及其板材和由其形成的蓝宝石晶片。该蓝宝石板的宽度大于或等于5厘米，用基于布拉格衍射的透射X射线衍射形貌法测定，位错密度小于1000个位错/厘米2。所述C-平面单晶蓝宝石、及其板材和由其形成的蓝宝石晶片具有低多晶性和/或低位错密度。
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公开(公告)号：CN103203671A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310138565.1
申请日：2008-06-25
申请人： 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
摘要： 在此披露了改变一个单晶体的晶体取向的一种方法，该方法包括以下步骤：表征该单晶体的一个晶体取向并且计算一C个取向偏离角，该取向偏离角是在该单晶体的一个选定的晶体方向与沿着该单晶体的一个第一外部主表面的平面的晶体方向的一个投影之间。该方法进一步包括从该第一外部主表面的至少一部分上除去材料以改变该取向偏离角。
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