发明授权
- 专利标题: 一种用于镀制贵金属膜的磁控溅射靶
- 专利标题(英): Magnetron sputtering target for filming previous metals
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申请号: CN200910042535.4申请日: 2009-01-19
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公开(公告)号: CN101525737B公开(公告)日: 2011-05-25
- 发明人: 刘咸成 , 王慧勇 , 龚杰洪 , 贾京英
- 申请人: 中国电子科技集团公司第四十八研究所
- 申请人地址: 湖南省长沙市天心区新开铺路1025号
- 专利权人: 中国电子科技集团公司第四十八研究所
- 当前专利权人: 中国电子科技集团公司第四十八研究所
- 当前专利权人地址: 湖南省长沙市天心区新开铺路1025号
- 代理机构: 长沙正奇专利事务所有限责任公司
- 代理商 马强
- 主分类号: C23C14/35
- IPC分类号: C23C14/35 ; C23C14/14
摘要:
一种用于镀制贵金属膜的磁控溅射靶,包括固定有靶背板的靶座,该靶背板顶面四周设有由靶边永磁体组成的永磁体框,永磁体框的中部设有靶中间永磁体,所述永磁体框上方有对应的靶边磁极,所述靶中间永磁体上方有对应的靶中间磁极;且所述靶边磁极与永磁体框之间,以及靶中间磁极与靶中间永磁体之间均由水冷板间隔并进行耦合;所述靶边磁极与靶中间磁极之间设有用靶条夹固定在所述水冷板上并组成框形结构的靶面。它可显著减少靶材重量,提高靶材利用率,降低生产成本,还能使靶材便于回收与保管。
公开/授权文献
- CN101525737A 一种用于贵重金属镀膜的磁控溅射靶 公开/授权日:2009-09-09
IPC分类: