发明授权
- 专利标题: 半导体装置、电光装置及电子设备
- 专利标题(英): Semiconductor device, electrooptical apparatus, and electronic apparatus
-
申请号: CN200910127587.1申请日: 2009-03-23
-
公开(公告)号: CN101546775B公开(公告)日: 2013-07-17
- 发明人: 宫坂光敏 , 宫崎淳志
- 申请人: 精工爱普生株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 精工爱普生株式会社
- 当前专利权人: 微软技术许可有限责任公司
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京市中咨律师事务所
- 代理商 陈海红; 刘瑞东
- 优先权: 084791/2008 2008.03.27 JP
- 主分类号: H01L27/12
- IPC分类号: H01L27/12 ; H01L23/522 ; H01L29/786 ; G02F1/1362
摘要:
本发明提供了半导体装置、电光装置及电子设备,即使在树脂层等的柔性层上形成时可靠性也优异。本发明的在树脂层(S)上形成的半导体装置,包含多个底栅型薄膜晶体管,该半导体装置至少具有构成该底栅型薄膜晶体管的半导体层(17)、第一布线(GL1,GL2)、第二布线(SL)、第一绝缘层(15)以及栅极绝缘膜(19),在该半导体层和该第一布线和第二布线的下部,存在该第一绝缘层和该栅极绝缘膜,在未形成该半导体层和该第一布线和第二布线的处所,该第一绝缘层和该栅极绝缘膜的一部分被去除。由于该第一绝缘层和该栅极绝缘膜的一部分被去除,因此,即使在半导体装置施加了机械或热应力的情况下,也使该应力缓和,可以降低第一绝缘层等中裂纹的发生。
公开/授权文献
- CN101546775A 半导体装置、电光装置及电子设备 公开/授权日:2009-09-30
IPC分类: