发明授权
- 专利标题： 光电二极管及其制造方法
- 专利标题（英）： Photodiode and method of fabrication
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申请号： CN200810188273.8申请日： 2008-12-23
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公开(公告)号： CN101552303B公开(公告)日： 2013-11-20
- 发明人: 胡申业
- 申请人： JDS尤尼弗思公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚苗必达麦卡锡林荫大道430号
- 专利权人： JDS尤尼弗思公司
- 当前专利权人： 朗美通运营有限责任公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚苗必达麦卡锡林荫大道430号
- 代理机构： 广州华进联合专利商标代理有限公司
- 代理商 郑小粤
- 优先权： 12/060,342 2008.04.01 US
- 主分类号： H01L31/102
- IPC分类号： H01L31/102 ; H01L31/105 ; H01L31/107 ; H01L31/18
摘要：
本发明提供一种高可靠性的光电二极管，以及制造这种光电二极管的简单方法。在光电二极管制造期间，在吸收层的上表面上外延生长缓变层，并且在所述缓变层的上表面上外延生长用于抑制电流流动的阻挡层。然后，阻挡层被蚀刻以暴露所述缓变层的上表面的窗口区域。这样，被蚀刻的阻挡层限定所述吸收层的活性区域。在所述阻挡层的上表面上和所述缓变层的上表面的窗口区域上外延再生长窗口层，并且然后蚀刻所述窗口层以形成窗口台面。
公开/授权文献
- CN101552303A 光电二极管及其制造方法 公开/授权日：2009-10-07
IPC分类:
