公开(公告)号：CN118899363A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410845987.0

申请日：2024-06-27

申请人： 宁波大学 ,  北京铭镓半导体有限公司

发明人： 刘家宝 ,  王旭 ,  孟冬冬 ,  陈政委

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/102 ,  H01L27/144 ,  B33Y10/00 ,  B33Y30/00 ,  B33Y80/00 ,  H01L21/67

摘要： 本发明公开了一种全角度光电探测器的制备方法、装置及全角度光电探测器。方法包括：在SiO2基板上旋涂光刻胶；采用飞秒激光双光子3D打印技术在光刻胶SiO2板上制造出圆柱体阵列；采用干法刻蚀机对光刻胶阵列SiO2板进行图形转移，将光刻胶上的图形转移到SiO2基板上；去除图形化光刻胶阵列SiO2板中的光刻胶，并进行薄膜沉积；使用飞秒激光双光子3D打印技术在带有薄膜的图形化阵列SiO2板上制作电极掩膜；对第一图形化电极阵列SiO2板进行金属银沉积，形成带有金属银薄膜的第二图形化电极阵列SiO2板；对第二图形化电极阵列SiO2板进行杂质去除，生成图形化器件阵列的全角度光电探测器。

公开(公告)号：CN118676220A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410770758.7

申请日：2024-06-14

申请人： 深圳市奥伦德元器件有限公司

发明人： 黄昶源 ,  吴质朴 ,  何畏 ,  林士修 ,  邱晨 ,  胡凯祥

IPC分类号： H01L31/02 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/024 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/102 ,  H01L25/18

摘要： 本发明公开了IR芯片以及光电耦合器，其中IR芯片，包括：Si衬底；设置于所述Si衬底上的掺杂层；与所述Si衬底层相接，背离所述掺杂层，且与所述掺杂层存在电极通道的P电极；背离所述Si衬底，与所述掺杂层存在电极通道的的N电极；以及SiO2钝化层；其中，所述掺杂层包括依次排布于所述Si衬底上的P型掺杂层、PN结、N型掺杂层；所述SiO2钝化层包覆于所述PN结的外壁。本发明技术方案提高了IR芯片的强度，避免了芯片在实际生产和封装过程中损坏，提高了IR芯片的可靠性。

公开(公告)号：CN118016749B

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410418054.3

申请日：2024-04-09

申请人： 长三角物理研究中心有限公司 ,  中国科学院物理研究所

发明人： 陈弘 ,  雷宇 ,  贾海强 ,  邓震 ,  杜春花 ,  李云

IPC分类号： H01L31/102 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L27/146

摘要： 本发明实施例涉及一种CMOS图像传感器的光电二极管及光电二极管单元，该光电二极管的外延结构包括：衬底、n型掺杂半导体层、吸收层和p型掺杂半导体层；n型掺杂半导体层设置在衬底之上；吸收层设置在n型掺杂半导体层之上，吸收层的厚度为20nm‑1500nm，掺杂方式为非故意掺杂；p型掺杂半导体层设置在吸收层之上。本发明的光电二极管，基于非平衡吸收理论，在强场和pn结的条件下，通过对吸收层的厚度的调整和掺杂类型的调整，实现不降低CMOS图像传感器中光电二极管量子效率的目的的前提下，从根本上降低了隔离槽的刻蚀难度和光电二极管的暗电流，提升了光电二极管的灵敏度。

公开(公告)号：CN114497248B

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202111493107.0

申请日：2021-12-08

申请人： 华南师范大学

发明人： 张黎 ,  韩晓宁 ,  张诗豪 ,  李京波

IPC分类号： H01L31/0336 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18

摘要： 本发明属于电子器件技术领域，公开了一种基于混维Sn‑CdS/碲化钼异质结的光电探测器及其制备方法。所述光电探测器的结构为电极/Sn‑CdS/MoTe2异质结/电极；所述Sn‑CdS/MoTe2异质结中Sn‑CdS为Sn掺杂CdS纳米线，MoTe2为纳米片；Sn‑CdS/MoTe2异质结不与电极接触。该基于混维Sn‑CdS/MoTe2异质结的光电探测器具有优越的吸光能力与载流子传输能力。该光电探测器在325～808nm波长内具有较高的响应率(400～600mA/W)和探测率(1012～1013Jones)。本发明的工艺简单易操作，为基于混维半导体材料异质结的高性能光电探测器的研究提供了思路。

公开(公告)号：CN118522781A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202310128220.1

申请日：2023-02-17

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 贾锐 ,  罗威 ,  李星 ,  汪龙杰 ,  王博龙 ,  李明辉

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/102

摘要： 本发明涉及一种硅基漂移探测器，属于半导体器件技术领域，解决了现有技术中漂移探测器的集电电极局限于设置在漂移区的中央会造成漂移区内载流子的损失，从而引起探测器能量分辨率下降的问题。所述硅基漂移探测器包括：衬底、集电电极、背面电极和多个漂移电极，所述集电电极和漂移电极设置在所述衬底的正面，所述背面电极设置在所述衬底的背面；所述集电电极和所述漂移电极均为互相平行设置的条形，所述集电电极设置在衬底正面的中心位置或者非中心位置。该硅基漂移探测器可以根据所施加的电场方式或者探测器输出位置来灵活设置集电电极的位置，从而使集电电极有效吸收所有载流子，避免因载流子的损失而造成探测器能量分辨率变差。

公开(公告)号：CN118299443A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410249109.2

申请日：2024-03-05

申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院

发明人： 杨春雷 ,  王张铜 ,  邵龑 ,  冯叶 ,  代子阳 ,  陈舒婷 ,  胡吉翔

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  H01L31/102

摘要： 本申请涉及红外探测器技术领域，特别涉及一种Cu2CdxZn1‑xSnSe4短波红外探测器的底部钝化阻挡层及其制备方法，该钝化阻挡层位于硅钼上；硅钼包括衬底以及叠层设置在衬底上的双层电极层；钝化阻挡层位于双层电极层远离衬底的一侧，且钝化阻挡层上开设有呈阵列排布的开口结构。本申请通过在硅钼上制备钝化阻挡层，以降低CCZTSe吸收层和金属底电极之间的背接触势垒，同时利用紫外曝光技术对衬底进行图形化处理，以及利用湿法刻蚀技术对图形化后的衬底进行刻蚀，在不同厚度的底部钝化阻挡层上形成不同尺寸的有序的电流传输通道，有效的降低载流子在界面处的复合，提高载流子的收集效率，从而有利于有效降低CCZTSe短波红外探测器的暗电流，提高红外探测器的探测性能。

公开(公告)号：CN118263353A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202310785678.4

申请日：2023-06-28

申请人： 台亚半导体股份有限公司

发明人： 林骏杰

IPC分类号： H01L31/102 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0352

摘要： 本发明提供一种光电二极管结构，该光电二极管结构包括第一电极、半导体结构、第一抗反射层、第二抗反射层、第二电极及阻隔结构。半导体结构位于第一电极上；第一抗反射层位于半导体结构上；第二抗反射层位于第一抗反射层上；第二电极位于第二抗反射层上并贯穿第一抗反射层及第二抗反射层，以电连接到半导体结构；阻隔结构设置于第一抗反射层与第二电极之间，以防止第一抗反射层直接接触第二电极。

公开(公告)号：CN114744065B

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202210289083.5

申请日：2022-03-23

申请人： 中国电子科技集团公司第十一研究所

发明人： 张轶 ,  刘世光

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18 ,  G03F7/20

摘要： 本发明公开了一种台面结构芯片的非接触式光刻方法。台面结构芯片的非接触式光刻方法，包括：在芯片的任意两个台面结构之间形成的凹槽处设置遮挡结构。遮挡结构的上表面与台面结构的上表面平齐。对设置有遮挡结构的芯片进行非接触式光刻工艺。采用本发明，通过将台面结构之间形成的凹槽处设置遮挡结构，可以使得光刻机自动对焦时能够将曝光焦面固定的定位于台面结构的上表面，解决非接触式光刻过程中曝光焦面定位不准确所造成的曝光质量差的问题，实现台面结构芯片的高质量非接触光刻。

公开(公告)号：CN113937175B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202111051057.0

申请日：2021-09-08

申请人： 杭州电子科技大学

发明人： 吴章婷 ,  曾培宇 ,  张阳 ,  郑鹏 ,  郑梁

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种二维硫化铼光电探测器及制备方法，至少包括衬底层以及在所述衬底层形成的绝缘层，所述绝缘层上设置二维硫化铼层，并设置与所述二维硫化铼层相连接的电极作为源极和漏极，所述二维硫化铼层上通过掺杂形成四氰二甲基对苯醌层。本发明通过大分子F4‑TCNQ对ReS2进行表面修饰调控其性能，得到多种性能组合的ReS2光电探测器，包括高响应度和高灵敏的ReS2光电探测器。

公开(公告)号：CN118151269A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202311550845.3

申请日：2023-11-20

申请人： 西安工程大学

发明人： 张国青 ,  张向通 ,  王磊 ,  李子健 ,  王悦 ,  李连碧 ,  刘丽娜

IPC分类号： G02B3/00 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开的在硅光电倍增管表面制作自成形自对准微透镜阵列的方法，包括：在硅光电倍增管本体表面沉积金属薄膜层；通过光刻对准工艺形成要对金属薄膜层开窗口的光刻胶图形，窗口与硅光电倍增管本体的G‑APD单元光敏区一一对应且中心对齐；通过刻蚀工艺对金属薄膜层刻蚀形成网孔结构；在网孔结构上涂抹一层对透明绝缘封装介质不浸润的涂层；向网孔结构上表面滴入液态透明绝缘封装介质，使得每个网孔结构内液态透明绝缘封装介质的下表面向下形成凸面；固化得到位于硅光电倍增管表面的微透镜阵列。本发明解决了现有的将光子汇聚到SiPM芯片内G‑APD单元光敏区的方法成本高、耦合对准步骤繁琐的问题。