发明授权
CN101591004B 一种非晶硅氧化物纳米线的修饰加工方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种非晶硅氧化物纳米线的修饰加工方法
- 专利标题(英): Method for modifying and processing amorphous silicon oxide nano wire
-
申请号: CN200910112084.7申请日: 2009-06-26
-
公开(公告)号: CN101591004B公开(公告)日: 2011-09-07
- 发明人: 朱贤方 , 苏江滨 , 吴燕 , 李论雄 , 黄胜利 , 逯高清 , 王连洲
- 申请人: 厦门大学
- 申请人地址: 福建省厦门市思明南路422号
- 专利权人: 厦门大学
- 当前专利权人: 厦门大学
- 当前专利权人地址: 福建省厦门市思明南路422号
- 代理机构: 厦门南强之路专利事务所
- 代理商 马应森
- 主分类号: B82B3/00
- IPC分类号: B82B3/00
摘要:
一种非晶硅氧化物纳米线的修饰加工方法,涉及一种纳米线的修饰加工方法。提供一种非晶硅氧化物纳米线的修饰加工方法。先从硅片衬底上刮下硅氧化物纳米线粉末,用有机溶剂分散至形成颜色均匀的悬浮液时,再将含硅氧化物纳米线的有机溶液加到附有微栅碳膜的铜网上,静置得TEM样品;放入样品座中固定好,将样品杆推入到样品室中并对透射电镜抽真空,对样品中的硅氧化物纳米线进行观察分析;先在TEM低倍观察模式下对硅氧化物纳米线进行粗选,在高倍数观察模式下对粗选纳米线作进一步筛选;先用电镜附带的CCD拍下修饰前所选纳米线的形貌,对纳米线行辐照,实时拍照记录纳米线的形貌变化过程,重复“辐照-拍照”,直至得所需形貌的纳米线。
公开/授权文献
- CN101591004A 一种非晶硅氧化物纳米线的修饰加工方法 公开/授权日:2009-12-02