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公开(公告)号：CN105540536A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610064800.9
申请日：2016-01-29
申请人： 厦门大学
IPC分类号： B82B3/00
CPC分类号： B82B3/0009
摘要： 电子束诱导非晶硅氧化物基纳米线原位均匀伸长加工方法，涉及纳米线伸长加工的方法。首先将硅氧化物基纳米线粉末制成透射电镜样品，然后放到透射电镜中观察筛选，最后对所选的硅氧化物基纳米线进行有针对性地非聚焦辐照并实时拍照记录不同辐照时间下纳米线长度等形貌特征，直至得到所需长度的纳米线。不仅可以较容易地控制电子束辐照电流密度等能量沉积速率因素，而且还可以能动地选择纳米线的直径及其表面金属颗粒的修饰情况等表面纳米曲率因素，以及改变辐照时间的长短等来控制纳米线的伸长快慢及程度，因而具有很强的可控性。此外，在透射电镜下还可原位观察、监控纳米线伸长加工的进度，而且不会引入其它杂质。
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公开(公告)号：CN101798058B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201010126626.9
申请日：2010-03-12
申请人： 厦门大学
IPC分类号： B82B3/00
摘要： 一种硅基纳米线的表面异质修饰方法，涉及一种纳米线的表面修饰方法。将TEM样品放入样品座中，然后将样品杆推入到样品室中，并对透射电镜抽真空，对TEM样品中的纳米线进行观察筛选；先在TEM低倍观察模式下对纳米线进行初选，所选纳米线位于微栅孔中，然后在较高倍数观察模式下对初选定的纳米线作进一步筛选，使纳米线表面光滑且未吸附有其它固态杂质；先用电镜附带的CCD拍下修饰前所选纳米线片段的形貌，然后根据修饰的需要，对纳米线进行有目的性的辐照，辐照完成后拍照记录纳米线的表面修饰效果。不仅可较容易地控制各个辐照参数，具有很强的可控性，而且还能实现硅基纳米线与各种非晶碳纳米结构的良好接触与粘附。
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公开(公告)号：CN101591003B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200910112083.2
申请日：2009-06-26
申请人： 厦门大学
IPC分类号： B82B3/00
摘要： 一种非晶硅氧化物纳米线的电子束聚焦辐照加工方法，涉及一种纳米线电子束聚焦辐照加工方法。提供一种非晶硅氧化物纳米线的电子束聚焦辐照加工方法。从衬底上刮下硅氧化物纳米线粉末，用有机溶剂分散至形成颜色均匀的悬浮液时，再加到附有微栅碳膜的铜网上，静置得TEM样品，放入样品座中固定好，将样品杆推入到样品室中并对透射电镜抽真空，对样品中的硅氧化物纳米线观察分析；先在TEM低倍观察模式下对硅氧化物纳米线进行粗选，然后在较高倍数观察模式下对粗选的纳米线作进一步筛选；用电镜附带的CCD拍下加工前所选纳米线的形貌，再对纳米线聚焦辐照，实时拍照记录纳米线的形貌变化过程，重复“辐照-拍照”过程，直至实现纳米线的加工。
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公开(公告)号：CN105523521A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201610064798.5
申请日：2016-01-29
申请人： 厦门大学
CPC分类号： B82B3/0004 , B82B1/00
摘要： 纳米线纵向同轴异质结构及其电子束聚焦辐照制备方法，涉及纳米线。所述纳米线纵向同轴异质结构中，单晶金纳米桥的两端紧密连接着非晶硅氧化物纳米线，单晶金纳米桥和非晶硅氧化物纳米线两者纵向同轴且轴向笔直，同时非晶硅氧化物纳米线表面均匀、分散地修饰着金纳米颗粒。首先在非晶硅氧化物纳米线表面沉积一层均匀、分散的金纳米颗粒，然后利用透射电镜高能电子束选择性聚焦辐照，诱导辐照区域内非晶硅氧化物纳米线材料优先融蒸和径向收缩，并引起纳米线表面金纳米颗粒出现聚集、纳米熟化、长大，最终形成单晶金纳米桥，从而获得单晶金纳米桥两端连接非晶硅氧化物纳米线的纵向同轴异质结构。具有很强的可控性。
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公开(公告)号：CN102495016A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110414438.0
申请日：2011-12-12
申请人： 厦门大学
摘要： 一种检测土壤中多氯联苯污染物的方法，涉及土壤污染物的检测方法。将石英片清洗，将离心、分散好的聚苯乙烯纳米球溶胶通过滴涂法在清洗后的石英片上进行自组装，干燥后，得到单层的聚苯乙烯纳米球六角密排结构；使用物理气相沉积法沉积金属银膜，通过超声除去聚苯乙烯球得二维六角排列三角形银纳米点阵，再用扫描电子显微镜观测到大面积的二维六角排列的银纳米点阵，然后试样在紫外-可见-红外光谱仪中测量吸收光谱；先在二维银纳米点阵位置修饰环糊精，测量吸收光谱；然后再修饰不同浓度的PCBs，由于环糊精是空腔结构，PCBs进入环糊精空腔，依靠范德华力或氢键等作用力相结合，形成超分子化合物，然后测量吸收光谱。
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公开(公告)号：CN101591004B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200910112084.7
申请日：2009-06-26
申请人： 厦门大学
IPC分类号： B82B3/00
摘要： 一种非晶硅氧化物纳米线的修饰加工方法，涉及一种纳米线的修饰加工方法。提供一种非晶硅氧化物纳米线的修饰加工方法。先从硅片衬底上刮下硅氧化物纳米线粉末，用有机溶剂分散至形成颜色均匀的悬浮液时，再将含硅氧化物纳米线的有机溶液加到附有微栅碳膜的铜网上，静置得TEM样品；放入样品座中固定好，将样品杆推入到样品室中并对透射电镜抽真空，对样品中的硅氧化物纳米线进行观察分析；先在TEM低倍观察模式下对硅氧化物纳米线进行粗选，在高倍数观察模式下对粗选纳米线作进一步筛选；先用电镜附带的CCD拍下修饰前所选纳米线的形貌，对纳米线行辐照，实时拍照记录纳米线的形貌变化过程，重复“辐照-拍照”，直至得所需形貌的纳米线。
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公开(公告)号：CN101774535A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200910113128.8
申请日：2009-12-28
申请人： 厦门大学
IPC分类号： B82B3/00
摘要： 一种二维正方点阵排列的准正方形纳米颗粒阵列结构的制备方法，涉及一种纳米颗粒材料。先制备单一粒径的单层纳米球亚稳态正方排列结构模板，再沉积金属，最后除去聚苯乙烯纳米球模板。在单一粒径聚苯乙烯纳米球的单层正方排列亚稳态结构的基础上，利用单一粒径的聚苯乙烯纳米球，通过控制制备过程工艺参数，制备出单层的聚苯乙烯纳米球亚稳态正方排列结构模板，使用物理气相沉积的方法沉积金属银膜，在乙醇等有机溶剂中超声除去模板，仅一步除球即得到二维正方点阵排列的准正方形纳米颗粒阵列结构，操作步骤简便、所需的设备简单、材料易得、成本低廉、结构易控。
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公开(公告)号：CN101602484A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200910112085.1
申请日：2009-06-26
申请人： 厦门大学
摘要： 一种非晶硅氧化物纳米线的焊接方法，涉及一种纳米线焊接方法。提供一种非晶硅氧化物纳米线的焊接方法。先从硅片衬底上刮下硅氧化物纳米线粉末，用有机溶剂分散，将含硅氧化物纳米线的有机溶液加到附有微栅碳膜的铜网上，静置得TEM样品，放入样品座中固定，将样品杆推入到样品室中并对透射电镜抽真空，观察分析；在TEM低倍观察模式下对硅氧化物纳米线粗选，在较高倍数观察模式下对粗选的纳米线作进一步筛选；先在放大倍数20000×～150000×下用电镜附带的CCD拍下焊接前两纳米线尤其是交叉处的形貌；再对纳米线交叉处辐照，实时拍照记录两纳米线尤其是交叉处的结构转变过程，重复“辐照-拍照”直至最终实现两纳米线的焊接。
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公开(公告)号：CN101591004A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910112084.7
申请日：2009-06-26
申请人： 厦门大学
IPC分类号： B82B3/00
摘要： 一种非晶硅氧化物纳米线的修饰加工方法，涉及一种纳米线的修饰加工方法。提供一种非晶硅氧化物纳米线的修饰加工方法。先从硅片衬底上刮下硅氧化物纳米线粉末，用有机溶剂分散至形成颜色均匀的悬浮液时，再将含硅氧化物纳米线的有机溶液加到附有微栅碳膜的铜网上，静置得TEM样品；放入样品座中固定好，将样品杆推入到样品室中并对透射电镜抽真空，对样品中的硅氧化物纳米线进行观察分析；先在TEM低倍观察模式下对硅氧化物纳米线进行粗选，在高倍数观察模式下对粗选纳米线作进一步筛选；先用电镜附带的CCD拍下修饰前所选纳米线的形貌，对纳米线行辐照，实时拍照记录纳米线的形貌变化过程，重复“辐照－拍照”，直至得所需形貌的纳米线。
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公开(公告)号：CN101215401A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810070491.1
申请日：2008-01-18
申请人： 厦门大学
摘要： 一种有机无机纳米球壳结构复合材料的制备方法，涉及一种有机无机纳米球壳结构复合材料的制备方法，尤其是涉及一种纳米聚甲基丙烯酸甲酯球芯包覆银膜的制备方法。提供一种具有核壳结构的有机无机纳米球壳结构复合材料的制备方法。先制备聚甲基丙烯酸甲酯纳米球，再用γ－甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷对聚甲基丙烯酸甲酯纳米球进行修饰；用γ－巯丙基三甲氧基硅烷对用γ－甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷修饰过的聚甲基丙烯酸甲酯纳米球进行修饰；最后制备聚甲基丙烯酸甲酯/银(Ag)纳米球壳粒子的制备。
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