发明授权
CN101624172B 一种掺杂Mg、Mn或Cu的GaN纳米粉体的制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种掺杂Mg、Mn或Cu的GaN纳米粉体的制备方法
- 专利标题(英): Preparation method of GaN nano powder doped with Mg, Mn or Cu
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申请号: CN200910023536.4申请日: 2009-08-07
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公开(公告)号: CN101624172B公开(公告)日: 2011-09-14
- 发明人: 王芬 , 薛小霜 , 朱建锋
- 申请人: 陕西科技大学
- 申请人地址: 陕西省西安市未央区大学园陕西科技大学
- 专利权人: 陕西科技大学
- 当前专利权人: 陕西科技大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市未央区大学园陕西科技大学
- 代理机构: 西安通大专利代理有限责任公司
- 代理商 徐文权
- 主分类号: B82B3/00
- IPC分类号: B82B3/00
摘要:
一种掺杂Mg、Mn或Cu的GaN纳米粉体的制备方法,首先制得不同摩尔配比量的分析纯的Mg、Mn或Cu与硝酸镓Ga(NO3)3的混合溶液,其中Ga3+浓度为0.01mol/L~0.02mol/L,再加入容量6~7倍于水溶剂量的分析纯的无水乙醇,调节pH在6~7.5之间,超声震荡得到的非晶结构的前驱体,该前驱体与之前湿法制备的前驱体不同,氨化后根据掺杂元素的不同,可得到了不同元素掺杂的GaN纳米粉体,这些掺杂的GaN纳米粉体可以作为包封材料使用。此方法设备简单,操作简便,无需昂贵的装置,可低成本高效的得到GaN及掺杂GaN纳米粉体。
公开/授权文献
- CN101624172A 一种掺杂Mg、Mn或Cu的GaN纳米粉体的制备方法 公开/授权日:2010-01-13