发明公开
CN101624286A 一种La掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种La掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法
- 专利标题(英): La -CeO2 doped transition layer film and preparation method thereof
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申请号: CN200910088527.3申请日: 2009-07-03
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公开(公告)号: CN101624286A公开(公告)日: 2010-01-13
- 发明人: 赵跃 , 索红莉 , 刘敏 , 叶帅 , 程艳玲 , 马麟 , 周美玲
- 申请人: 北京工业大学
- 申请人地址: 北京市朝阳区平乐园100号
- 专利权人: 北京工业大学
- 当前专利权人: 北京工业大学
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区平乐园100号
- 代理机构: 北京思海天达知识产权代理有限公司
- 代理商 沈波
- 主分类号: C04B35/50
- IPC分类号: C04B35/50 ; C04B35/622
摘要:
一种La掺杂CeO 2 过渡层薄膜及其制备方法属于高温超导材料制备技术领域。本发明所提供的La掺杂CeO 2 过渡层薄膜由Ce 1-x La x O 2 复合氧化物固溶体组成,其中,0.1≤x≤0.3;过渡层薄膜的厚度为30~250nm。本发明通过以有机铈盐为前驱盐,以乙酰丙酮镧为镧源,采用化学溶液方法制备前驱液后,经过旋涂或者浸涂的方法将前驱液涂敷到金属基带上,再经过热处理工艺制得La掺杂CeO 2 过渡层薄膜。本发明具有制备成本低廉、Ce 1-x La x O 2 过渡层薄膜晶格常数精确可调,且能够实现多种过渡层功能的一体化,减少现有的复杂过渡层结构等优点。
公开/授权文献
- CN101624286B 一种La掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法 公开/授权日:2011-12-07