发明公开
CN101638217A 纳米线或纳米管放电加工微纳三维结构的方法和系统
失效 - 权利终止
- 专利标题: 纳米线或纳米管放电加工微纳三维结构的方法和系统
- 专利标题(英): Method for electric discharge machining of micronanometer three-dimensional structure of nanowire or nanotube and system thereof
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申请号: CN200910069561.6申请日: 2009-07-03
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公开(公告)号: CN101638217A公开(公告)日: 2010-02-03
- 发明人: 房丰洲 , 王庆祎 , 徐宗伟 , 胡小唐
- 申请人: 天津大学
- 申请人地址: 天津市南开区卫津路92号天津大学
- 专利权人: 天津大学
- 当前专利权人: 天津大学
- 当前专利权人地址: 天津市南开区卫津路92号天津大学
- 代理机构: 天津市北洋有限责任专利代理事务所
- 代理商 程毓英
- 主分类号: B82B3/00
- IPC分类号: B82B3/00 ; B81C1/00 ; B81C5/00
摘要:
本发明属于微纳制造技术领域,涉及一种纳米线或纳米管放电加工微纳三维结构的方法:(1)将导电性的纳米线或纳米管粘接到钨针尖上;(2)将电极夹持装置置于位移台上,并通过多轴运动控制器对位移台的移动进行控制;(3)将导电材料工件置于X/Y精密位移台上,由多轴运动控制器控制X/Y精密位移台的移动;(4)将脉冲电源的负极接到钨针尖上,其正极接到工件上;(5)利用工控机向多轴运动控制卡发送指令,控制放置有电极夹持装置的位移台,由脉冲电源提供放电加工的工作电压,并由间隙电压检测装置采集放电间隙电压,工控机则根据间隙电压控制电极进给位移台的移动。本发明使放电加工的尺寸达到微米、纳米级,同时解决了加工过程的排屑问题。
公开/授权文献
- CN101638217B 纳米线或纳米管放电加工微纳三维结构的方法和系统 公开/授权日:2012-01-25