发明授权
CN101641656B 基准电压生成电路
失效 - 权利终止
- 专利标题: 基准电压生成电路
- 专利标题(英): Reference voltage generation circuit
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申请号: CN200780052359.1申请日: 2007-03-29
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公开(公告)号: CN101641656B公开(公告)日: 2011-11-16
- 发明人: 宝本敏治 , 后藤邦彦
- 申请人: 富士通株式会社
- 申请人地址: 日本神奈川县
- 专利权人: 富士通株式会社
- 当前专利权人: 富士通株式会社
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县
- 代理机构: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
- 代理商 赵淑萍; 南霆
- 国际申请: PCT/JP2007/056854 2007.03.29
- 国际公布: WO2008/120350 JA 2008.10.09
- 进入国家日期: 2009-09-25
- 主分类号: G05F3/30
- IPC分类号: G05F3/30 ; G05F3/24
摘要:
本发明提供了一种基准电压生成电路,其特征在于,包括:第一PN结元件(PN1),所述第一PN结元件的正向电压为第一电压(V1);第二PN结元件(PN2),所述第二PN结元件的电流密度与所述第一PN结元件不同,并且所述第二PN结元件的正向电压为比所述第一电压V1高的第二电压V2;以及生成电路(101~103),对所述生成电路输入所述第一电压V1和所述第二电压V2,则生成以A1、A2、A3为系数的、以A2×V2+A3×(A2×V2-A1×V1)表示的基准电压,其中,所述A1和A2为不同的值。
公开/授权文献
- CN101641656A 基准电压生成电路 公开/授权日:2010-02-03