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公开(公告)号:CN118435146A
公开(公告)日:2024-08-02
申请号:CN202280085269.7
申请日:2022-12-14
申请人: 高通股份有限公司
IPC分类号: G05F3/24
摘要: 本公开的一方面涉及一种参考电压发生器,该参考电压发生器包括:第一场效应晶体管(FET),该第一场效应晶体管(FET)包括第一阈值电压;第二FET,该第二FET包括不同于该第一阈值电压的第二阈值电压;栅极电压发生器,该栅极电压发生器耦合到该第一FET和该第二FET的栅极;第一电流源,该第一电流源与该第一FET串联耦合在第一电压轨与第二电压轨之间;第二电流源;和第一电阻器,该第一电阻器与该第二电流源和该第二FET串联耦合在该第一电压轨与该第二电压轨之间,其中在该第一电阻器两端产生参考电压。
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公开(公告)号:CN116566347A
公开(公告)日:2023-08-08
申请号:CN202310835379.7
申请日:2023-07-10
申请人: 上海海栎创科技股份有限公司
摘要: 本发明揭示了一种音频装置和带有增益控制的供电电源控制方法,通过监测积分器的输出信号,检测输出信号是否截顶,产生增益控制信号调整输出信号的幅度,同时通过检测积分器的输出信号,产生升压控制信号,控制升压电压满足输出声音信号的需求,减小输出信号的失真的同时使得升压电压尽量贴合输出信号,提升效能,延长工作时间。
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公开(公告)号:CN115298634A
公开(公告)日:2022-11-04
申请号:CN202080098640.4
申请日:2020-03-24
申请人: 三菱电机株式会社
发明人: 小岛友和
摘要: 电流镜电路(120)与电流生成电路(110a)经由第一节点(N1)和第二节点(N2)在电源节点(Nd)与接地节点(Ng)之间串联连接。构成电流镜电路(120)的晶体管(MP1、MP2)的栅极经由第一开关(S1)连接于供给该晶体管的截止电压(AVDD)的节点(Nd),且经由第二开关(S2)连接于第二节点(N2)。第二节点(N2)经由第三开关(S3)连接于供给该晶体管的导通电压(AGND)的节点(Ng)。在电路启动前,第一开关(S1)和第三开关(S3)导通,而第二开关(S2)截止。在电路启动后,第一~第三开关(S1~S3)的导通截止被调换。
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公开(公告)号:CN111448531B
公开(公告)日:2022-09-09
申请号:CN201880078670.1
申请日:2018-12-04
申请人: 赛灵思公司
摘要: 一种示例电压参考电路,包括参考电路被配置为生成与温度成比例的电流和对应的第一控制电压,以及第二电路(316),该第二电路(316)被配置为生成与温度互补的电流和对应的第二控制电压;第一电流源(5141),其耦合到第一负载电路(512),该第一电流源响应于第一控制电压和第二控制电压而生成与温度成比例的电流和与温度互补的电流的总和电流,该第一负载电路从总和电流生成零温度系数(Tempco)电压;以及第二电流源(7151),其耦合到第二负载电路(718,720),该第二电流源响应于第一控制电压和第二控制电压而生成与温度成比例的电流和与温度互补的电流的总和电流,该第二负载电路从总和电流和与温度互补的电流生成负(202),其包括第一电路(308),该第一电路(308)
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公开(公告)号:CN106575131B
公开(公告)日:2019-08-09
申请号:CN201580040334.4
申请日:2015-12-24
申请人: 富士电机株式会社
发明人: 张艳争
IPC分类号: G05F3/24 , H02M3/07 , H03F3/70 , H03K19/0185
CPC分类号: H02M3/07 , G05F3/24 , H02M1/08 , H03K17/063 , H03K19/017509 , H03K2217/0081
摘要: 本发明的目的在于降低内部地线的电位变动,防止电路误动作。本发明的基准电压生成电路(1)具备分压电路(1a)、晶体管(M1)以及电容器(C1)。分压电路(1a)将电源电压(VCC)分压成规定电平,生成规定电压(Va)。晶体管(M1)的栅极施加有规定电压(Va),将规定电压(Va)加上自身的阈值电压(Vth)所得电压作为基准电压(Vref),从漏极输出。电容器(C1)对晶体管(M1)的栅极和源极进行旁路。此外,电容器(C1)的一端连接到晶体管(M1)的栅极,电容器(C1)的另一端连接到晶体管(M1)的源极及地线。进而,晶体管(M1)的漏极和输出电荷的电荷输出源(2a)相连接。
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公开(公告)号:CN104169834B
公开(公告)日:2017-08-25
申请号:CN201380013734.7
申请日:2013-03-15
申请人: 高通股份有限公司
CPC分类号: H02M3/04 , G05F3/247 , G06F1/26 , Y10T307/406
摘要: 一种电源控制器件可生成用于控制电源的操作的控制信号。可使这些控制信号中的至少一个参考内部提供的参考电压或外部提供的参考电压。附加控制信号控制可连接到该些电源的负载开关的操作以提供次电源。负载开关可按渐进的方式以依赖于它们所连接到的电源的速率来调节。负载开关的输出可被监视以发现与它们所连接到的电源相关的过电压和电压不足状况。
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公开(公告)号:CN102096435B
公开(公告)日:2015-05-20
申请号:CN201010618785.0
申请日:2010-12-31
申请人: 上海集成电路研发中心有限公司
IPC分类号: G05F3/24
摘要: 本发明提供一种改进型带隙基准电压源及带隙基准电压产生电路,该带隙基准电压产生电路包含:改进型带隙基准电压源和级联的电流镜像电路,本发明带隙基准电压产生电路通过级联的电流镜像电路将电流反馈至该改进型带隙基准电压源的正向电源输入端,同时本发明改进型带隙基准电压源通过在电源端与传统的带隙基准电压源之间增加一P型MOSFET,使得电源输入端的阻抗近似为该MOSFET的跨导倒数,从而提高了电源的电源抑制比,并且本发明改进型带隙基准电压源在传统带隙基准电压源基础上增加了两个电阻,使得差分电路的两组对称管互相之间的漏端电压更接近,同时使得电流更匹配。
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公开(公告)号:CN103412610A
公开(公告)日:2013-11-27
申请号:CN201310300808.7
申请日:2013-07-17
申请人: 电子科技大学
IPC分类号: G05F3/24
摘要: 本发明涉及一种电压基准电路。本发明针对现有的基准电路需要使用电阻和工艺要求高以及功耗大的问题,公开了一种低功耗无电阻全CMOS电压基准电路。本发明的技术方案是,低功耗无电阻全CMOS电压基准电路,包括偏置电流模块、正温电压模块、负温电压模块及电压叠加模块。本发明利用电压叠加输出电压基准,并通过场效应晶体管结构参数的选择,降低电压基准的温度系数。本发明提出的低功耗无电阻全CMOS电压基准电路,功耗低且不需要使用电阻,也不需要使用任何类型的双极型晶体管,可以采用标准CMOS工艺制作成集成电路,这样使得其适用范围和灵活性得到显著改善。
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