基于场效应晶体管的阈值电压差的参考电压发生器

    公开(公告)号:CN118435146A

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202280085269.7

    申请日:2022-12-14

    IPC分类号: G05F3/24

    摘要: 本公开的一方面涉及一种参考电压发生器,该参考电压发生器包括:第一场效应晶体管(FET),该第一场效应晶体管(FET)包括第一阈值电压;第二FET,该第二FET包括不同于该第一阈值电压的第二阈值电压;栅极电压发生器,该栅极电压发生器耦合到该第一FET和该第二FET的栅极;第一电流源,该第一电流源与该第一FET串联耦合在第一电压轨与第二电压轨之间;第二电流源;和第一电阻器,该第一电阻器与该第二电流源和该第二FET串联耦合在该第一电压轨与该第二电压轨之间,其中在该第一电阻器两端产生参考电压。

    偏置电路、传感器设备以及无线传感器设备

    公开(公告)号:CN115298634A

    公开(公告)日:2022-11-04

    申请号:CN202080098640.4

    申请日:2020-03-24

    发明人: 小岛友和

    IPC分类号: G05F3/24 G05F3/26

    摘要: 电流镜电路(120)与电流生成电路(110a)经由第一节点(N1)和第二节点(N2)在电源节点(Nd)与接地节点(Ng)之间串联连接。构成电流镜电路(120)的晶体管(MP1、MP2)的栅极经由第一开关(S1)连接于供给该晶体管的截止电压(AVDD)的节点(Nd),且经由第二开关(S2)连接于第二节点(N2)。第二节点(N2)经由第三开关(S3)连接于供给该晶体管的导通电压(AGND)的节点(Ng)。在电路启动前,第一开关(S1)和第三开关(S3)导通,而第二开关(S2)截止。在电路启动后,第一~第三开关(S1~S3)的导通截止被调换。

    可编程温度系数模拟二阶曲率补偿电压参考以及电压参考电路的微调技术

    公开(公告)号:CN111448531B

    公开(公告)日:2022-09-09

    申请号:CN201880078670.1

    申请日:2018-12-04

    申请人: 赛灵思公司

    IPC分类号: G05F3/24 G01K7/01 G05F3/30

    摘要: 一种示例电压参考电路,包括参考电路被配置为生成与温度成比例的电流和对应的第一控制电压,以及第二电路(316),该第二电路(316)被配置为生成与温度互补的电流和对应的第二控制电压;第一电流源(5141),其耦合到第一负载电路(512),该第一电流源响应于第一控制电压和第二控制电压而生成与温度成比例的电流和与温度互补的电流的总和电流,该第一负载电路从总和电流生成零温度系数(Tempco)电压;以及第二电流源(7151),其耦合到第二负载电路(718,720),该第二电流源响应于第一控制电压和第二控制电压而生成与温度成比例的电流和与温度互补的电流的总和电流,该第二负载电路从总和电流和与温度互补的电流生成负(202),其包括第一电路(308),该第一电路(308)

    恒流电路及半导体装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111831049A

    公开(公告)日:2020-10-27

    申请号:CN202010304850.6

    申请日:2020-04-17

    IPC分类号: G05F3/24

    摘要: 一种恒流电路,具备漏极与恒流输出端子连接的耗尽型NMOS晶体管和设置在NMOS晶体管与接地端子之间的电阻元件,耗尽型NMOS晶体管由并联连接且以电流方向相差90度的方式配置的耗尽型第一及第二NMOS晶体管构成,电阻元件由以电流方向相差90度的方式配置的第一及第二电阻构成。

    基准电压生成电路以及半导体装置

    公开(公告)号:CN106575131B

    公开(公告)日:2019-08-09

    申请号:CN201580040334.4

    申请日:2015-12-24

    发明人: 张艳争

    摘要: 本发明的目的在于降低内部地线的电位变动,防止电路误动作。本发明的基准电压生成电路(1)具备分压电路(1a)、晶体管(M1)以及电容器(C1)。分压电路(1a)将电源电压(VCC)分压成规定电平,生成规定电压(Va)。晶体管(M1)的栅极施加有规定电压(Va),将规定电压(Va)加上自身的阈值电压(Vth)所得电压作为基准电压(Vref),从漏极输出。电容器(C1)对晶体管(M1)的栅极和源极进行旁路。此外,电容器(C1)的一端连接到晶体管(M1)的栅极,电容器(C1)的另一端连接到晶体管(M1)的源极及地线。进而,晶体管(M1)的漏极和输出电荷的电荷输出源(2a)相连接。

    改进型带隙基准电压源及带隙基准电压产生电路

    公开(公告)号:CN102096435B

    公开(公告)日:2015-05-20

    申请号:CN201010618785.0

    申请日:2010-12-31

    发明人: 任铮 胡少坚 周伟

    IPC分类号: G05F3/24

    摘要: 本发明提供一种改进型带隙基准电压源及带隙基准电压产生电路,该带隙基准电压产生电路包含:改进型带隙基准电压源和级联的电流镜像电路,本发明带隙基准电压产生电路通过级联的电流镜像电路将电流反馈至该改进型带隙基准电压源的正向电源输入端,同时本发明改进型带隙基准电压源通过在电源端与传统的带隙基准电压源之间增加一P型MOSFET,使得电源输入端的阻抗近似为该MOSFET的跨导倒数,从而提高了电源的电源抑制比,并且本发明改进型带隙基准电压源在传统带隙基准电压源基础上增加了两个电阻,使得差分电路的两组对称管互相之间的漏端电压更接近,同时使得电流更匹配。

    数据保持二次调压器
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102365602B

    公开(公告)日:2014-11-26

    申请号:CN201080014086.3

    申请日:2010-06-09

    发明人: D·C·塞申斯

    IPC分类号: G05F1/575 G05F3/24

    CPC分类号: G05F1/575 G05F3/24

    摘要: 一种集成电路装置具有一次调压器和超低功率二次调压器。所述超低功率二次调压器在所述集成电路装置处于低功率睡眠模式中时向用于提供数据保持以及例如实时时钟和日历RTCC等动态操作的某些电路供应电压。所述一次调压器在所述集成电路处于操作模式中时向这些相同的某些电路提供电力。

    低功耗无电阻全CMOS电压基准电路

    公开(公告)号:CN103412610A

    公开(公告)日:2013-11-27

    申请号:CN201310300808.7

    申请日:2013-07-17

    IPC分类号: G05F3/24

    摘要: 本发明涉及一种电压基准电路。本发明针对现有的基准电路需要使用电阻和工艺要求高以及功耗大的问题,公开了一种低功耗无电阻全CMOS电压基准电路。本发明的技术方案是,低功耗无电阻全CMOS电压基准电路,包括偏置电流模块、正温电压模块、负温电压模块及电压叠加模块。本发明利用电压叠加输出电压基准,并通过场效应晶体管结构参数的选择,降低电压基准的温度系数。本发明提出的低功耗无电阻全CMOS电压基准电路,功耗低且不需要使用电阻,也不需要使用任何类型的双极型晶体管,可以采用标准CMOS工艺制作成集成电路,这样使得其适用范围和灵活性得到显著改善。