发明授权
CN101649451B MOD法在双轴织构NiW合金上制备镧锶钴氧导电薄膜
失效 - 权利终止
- 专利标题: MOD法在双轴织构NiW合金上制备镧锶钴氧导电薄膜
- 专利标题(英): MOD method for preparing LSCO conductive film on biaxial texture NiW alloy
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申请号: CN200910187309.5申请日: 2009-09-10
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公开(公告)号: CN101649451B公开(公告)日: 2011-01-26
- 发明人: 李英楠 , 樊占国 , 李凤华 , 沈悦 , 罗清威 , 李成山 , 卢亚峰
- 申请人: 东北大学
- 申请人地址: 辽宁省沈阳市和平区文化路3号巷11号
- 专利权人: 东北大学
- 当前专利权人: 东北大学
- 当前专利权人地址: 辽宁省沈阳市和平区文化路3号巷11号
- 代理机构: 沈阳东大专利代理有限公司
- 代理商 罗洪杰
- 主分类号: C23C18/12
- IPC分类号: C23C18/12 ; H01B12/06 ; H01B13/00
摘要:
一种MOD法在双轴织构NiW合金上制备镧锶钴氧导电薄膜,属于超导材料技术领域。将乙酸锶、乙酸镧和乙酸钴三种盐分步溶解到丙酸中,加入乙酰丙酮,制得前驱液;用匀胶机将前驱液涂覆在双轴织构NiW基带上;然后进行热解处理,再次进行涂覆和热解处理;进行结晶反应。本发明制备的LSCO膜厚度为500~700nm,阻隔了Ni元素向YBCO层的扩散过程,同时也很好的阻止了NiW基底的氧化;经四引线法测定薄膜的电阻率在液氮温区可以达到1.1×10-4Ω·m。与传统工艺相比,本发明简化了缓冲层的数量,从而降低了YBCO/buffer/NiW复合材料的制备过程和制造成本。
公开/授权文献
- CN101649451A MOD法在双轴织构NiW合金上制备镧锶钴氧导电薄膜 公开/授权日:2010-02-17
IPC分类: