MOD法在双轴织构NiW合金上制备镧锶钴氧导电薄膜

    公开(公告)号:CN101649451A

    公开(公告)日:2010-02-17

    申请号:CN200910187309.5

    申请日:2009-09-10

    申请人: 东北大学

    IPC分类号: C23C18/12 H01B12/06 H01B13/00

    CPC分类号: Y02E40/642

    摘要: 一种MOD法在双轴织构NiW合金上制备镧锶钴氧导电薄膜,属于超导材料技术领域。将乙酸锶、乙酸镧和乙酸钴三种盐分步溶解到丙酸中,加入乙酰丙酮,制得前驱液;用匀胶机将前驱液涂覆在双轴织构NiW基带上;然后进行热解处理,再次进行涂覆和热解处理;进行结晶反应。本发明制备的LSCO膜厚度为500~700nm,阻隔了Ni元素向YBCO层的扩散过程,同时也很好的阻止了NiW基底的氧化;经四引线法测定薄膜的电阻率在液氮温区可以达到1.1×10 -4 Ω·m。与传统工艺相比,本发明简化了缓冲层的数量,从而降低了YBCO/buffer/NiW复合材料的制备过程和制造成本。

    MOD法在双轴织构NiW合金上制备镧锶钴氧导电薄膜

    公开(公告)号:CN101649451B

    公开(公告)日:2011-01-26

    申请号:CN200910187309.5

    申请日:2009-09-10

    申请人: 东北大学

    IPC分类号: C23C18/12 H01B12/06 H01B13/00

    CPC分类号: Y02E40/642

    摘要: 一种MOD法在双轴织构NiW合金上制备镧锶钴氧导电薄膜,属于超导材料技术领域。将乙酸锶、乙酸镧和乙酸钴三种盐分步溶解到丙酸中,加入乙酰丙酮,制得前驱液;用匀胶机将前驱液涂覆在双轴织构NiW基带上;然后进行热解处理,再次进行涂覆和热解处理;进行结晶反应。本发明制备的LSCO膜厚度为500~700nm,阻隔了Ni元素向YBCO层的扩散过程,同时也很好的阻止了NiW基底的氧化;经四引线法测定薄膜的电阻率在液氮温区可以达到1.1×10-4Ω·m。与传统工艺相比,本发明简化了缓冲层的数量,从而降低了YBCO/buffer/NiW复合材料的制备过程和制造成本。