发明授权
CN101651123B 功率半导体模块
失效 - 权利终止
- 专利标题: 功率半导体模块
- 专利标题(英): Power semiconductor module
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申请号: CN200910160922.8申请日: 2009-07-24
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公开(公告)号: CN101651123B公开(公告)日: 2013-11-13
- 发明人: 马库斯·克内贝尔
- 申请人: 赛米控电子股份有限公司
- 申请人地址: 德国纽伦堡
- 专利权人: 赛米控电子股份有限公司
- 当前专利权人: 赛米控电子股份有限公司
- 当前专利权人地址: 德国纽伦堡
- 代理机构: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 车文; 樊卫民
- 优先权: 102008034468.0 2008.07.24 DE
- 主分类号: H01L23/48
- IPC分类号: H01L23/48 ; H01L23/485 ; H01L23/488 ; H01L23/02 ; H01L23/10
摘要:
本发明描述了一种功率半导体模块,其具有衬底、壳体和在所述壳体内部的、至少一个第一接触元件以及至少一个第二接触元件,第一接触元件带有至少一个配属于该接触元件的支承部。第一接触元件由具有至少一个第一层和至少一个绝缘层的交替层序列所布置而成,并且第一接触元件具有至少一个第一接触区段,用于与第二接触元件进行触点接通。第二接触元件具有至少一个布置于功率半导体模块内部的、用于与第一接触区段进行触点接通的第二接触区段以及至少一个穿过壳体的外侧进行伸展的、用于对外进行触点接通的第三接触区段。其中,壳体具有配属于第二接触元件的第三接触区段的伸展到壳体的外侧的穿引部。在第一接触元件的第一接触区段与第二接触元件的第二接触区段之间构成有空腔,导电的填充物位于该空腔中。
公开/授权文献
- CN101651123A 功率半导体模块 公开/授权日:2010-02-17
IPC分类: