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公开(公告)号：CN112992530B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202011447377.3
申请日：2020-12-09
申请人： 赛米控电子股份有限公司
IPC分类号： H01G2/08 , H01G4/236 , H05K7/20 , H01L25/16 , H01L23/367 , H01L23/467 , H01L23/473
摘要： 公开了一种功率电子系统，其具有壳体、冷却装置、功率半导体模块和电容器装置，其中电容器连接装置的冷却部段与冷却装置的冷却表面导热接触。
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公开(公告)号：CN117855174A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311277630.9
申请日：2023-09-28
申请人： 赛米控电子股份有限公司
发明人： 内德察德·巴基亚
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/498 , H01L23/00 , H01L23/60 , H01L23/02
摘要： 功率电子布置和具有该功率电子布置的功率半导体模块，具有衬底、功率半导体部件和连接装置，衬底具有法线方向、电绝缘的衬底层和衬底导体迹线，所述部件布置有第一接触面，其在第一主侧上布置在衬底导体迹线上并且与之导电连接，所述部件具有部件厚度、具有周向边缘区域的周向边沿区域，同样的周向侧面区域与该周向边缘区域相邻，连接装置具有接触导体迹线，其具有接触段和屏蔽段，接触段被导电连接到第二接触面，其布置在第二主侧上，与所述部件的第一接触面相对，屏蔽段不用于导电，从边沿区域开始的屏蔽段在侧面区域的法线方向上突出超过侧面区域，且在此与边缘区域的至少50％重叠，且电绝缘的绝缘层在屏蔽段的面向所述部件的那一侧上覆盖屏蔽段。
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公开(公告)号：CN110620098B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201910517092.3
申请日：2019-06-14
申请人： 赛米控电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及包括壳体的功率半导体器件及生产功率半导体器件的方法，该功率半导体器件包括穿过壳体开口的销元件；包括弹性密封装置，其布置在壳体的壳体开口壁与销元件之间，该壳体开口壁限定壳体开口并且环绕销元件；并包括套筒，其中销元件延伸穿过套筒并延伸穿过密封元件的密封装置开口，其中密封装置未以材料结合的方式连接到套筒、连接到壳体开口壁和连接到销元件，且密封装置将壳体开口壁与套筒封隔开来并且将套筒与销元件封隔开来；并包括布置在密封装置上的交联灌封化合物，其中交联灌封化合物以材料结合的方式连接到套筒、连接到壳体开口壁和连接到销元件，且灌封化合物将壳体开口壁与套筒封隔开来并且将套筒与销元件封隔开来。
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公开(公告)号：CN109428500B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201811030328.2
申请日：2018-09-05
申请人： 赛米控电子股份有限公司
IPC分类号： H02M7/00
摘要： 本发明涉及一种功率转换器装置，其具有功率转换器(2)，所述功率转换器(2)具有彼此电连接的功率半导体部件(T1，D1)，所述功率转换器(2)具有第一直流电压电位负载连接(DC‑)和第二直流电压电位负载连接(DC+)，并且所述功率转换器(2)具有半导体部件(3)，半导体部件(3)具有半导体主体(4)、串联电连接的电阻器(R)、第一绝缘层(5)、以及第一和第二连接触点(A1，A2)，第一和第二连接触点(A1，A2)通过串联电连接的电阻器(R)以导电方式彼此连接，其中第一连接触点(A1)以导电方式连接到第一直流电压电位负载连接(DC‑)以及第二连接触点(A2)以导电方式连接到第二直流电压电位负载连接(DC+)。
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公开(公告)号：CN109285790B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201810802933.0
申请日：2018-07-18
申请人： 赛米控电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/603 , H01L23/488
摘要： 本发明提出了一种压力烧结方法及用于该方法的压力传递装置，所述压力传递装置由弹性材料形成，特别是在烧结压机的压力下形成，并且设置成布置在烧结压机的压力冲头与工件和布置在工件上的第一连接配对件之间，其中烧结材料或烧结金属布置在工件和所述第一连接配对件之间，其中由工件、烧结材料或烧结金属和所述第一连接配对件组成的组件具有第一表面轮廓，其中所述压力传递装置被设计成在所有侧面上突出于第一连接配对件，并且在其面对所述组件的侧面上具有第二表面，该第二表面具有对应于所述第一表面轮廓的负像的第二表面轮廓。同样提出了使用所述压力传递装置的两种方法。
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公开(公告)号：CN107634042B
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN201710580703.X
申请日：2017-07-17
申请人： 赛米控电子股份有限公司
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/049 , H01L23/36
摘要： 本发明涉及功率电子开关装置及其功率半导体模块。该开关装置和功率半导体模块被配置为具有基底、布置在其上的功率半导体组件、以及负载连接装置，其中基底包含相互电绝缘印刷导体，其中优选地用于AC电势的负载连接装置包括至少两个局部连接装置，所述至少两个局部连接装置具有相互对应的接触表面，所述至少两个局部连接装置以压紧配合或实质性键合的方式并且在接触表面上以导电的方式来被互连，其中第一局部连接装置具有被压紧配合或实质性键合到基底的印刷导体的第一接触装置，并且其中第二局部连接装置具有用于负载连接装置的进一步连接——优选地为外部连接的第二接触装置。
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公开(公告)号：CN108695302B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201810257505.4
申请日：2018-03-27
申请人： 赛米控电子股份有限公司
摘要： 提供一种功率半导体模块，其形成为具有壳体、具有开关装置、具有布置在壳体中的基底、具有连接装置、具有终端装置、以及具有压力装置，压力装置能够在基底的法线方向运动并且布置在壳体中，其中，基底具有彼此电绝缘的导电迹线，其中，在导电迹线上布置功率半导体元件，并且功率半导体元件以导电方式连接至导电迹线，其中，开关装置通过连接装置以符合电路的方式内部地连接，其中，压力装置具有刚性主体和第一弹性压力体和第二弹性压力体，其中，第一弹性压力体远离基底在基底的法线方向从主体伸出，并且其中，第二弹性压力体在基底的法线方向朝向基底从主体伸出，并且其中，壳体具有固定装置，其用于将功率半导体模块布置在冷却装置上。
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公开(公告)号：CN115881671A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211192534.X
申请日：2022-09-28
申请人： 赛米控电子股份有限公司
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/498 , H01L25/07 , H01R4/02 , H01G4/228
摘要： 本发明涉及具有直流电压连接装置的功率半导体模块，具有基板、功率半导体器件以及直流电压连接装置，该连接装置具有第一和第二扁平导体连接元件和至少一个第一金属层连接元件和至少一个第二金属层连接元件，第二导体连接元件布置成在第一导体连接元件的法线方向上与第一导体连接元件间隔开，第一导体连接元件借助于第一金属层连接元件导电连接到金属层，第二导体连接元件借助于第二金属层连接元件导电连接到金属层，第一导体连接元件具有扁平导体端部和扁平导体连接部，该连接部布置在第一金属层连接元件和端部之间，在连接部的从第一金属层到端部的路线中，端部的宽度大于连接部的最小宽度，端部的至少一个区域不与第二导体连接元件重叠。
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公开(公告)号：CN107507814B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201710438281.2
申请日：2017-06-12
申请人： 赛米控电子股份有限公司
发明人： 斯特凡·厄尔林
IPC分类号： H01L23/40 , H01L23/427 , H01L25/07
摘要： 本发明涉及包括开关器件的功率半导体模块。所述功率半导体模块包括开关器件以及包括压力器件，所述开关器件具有衬底、功率半导体组件以及连接器件，其中，连接器件具有第一主表面和第二主表面以及导电箔，第一主表面面对所述衬底，第二主表面背离于所述衬底，其中，开关器件借助连接器件来与合适的电路系统内部地连接，其中，压力器件具有压力体和在功率半导体组件的方向上从压力体突出的压力元件，其中，压力元件按压到所述连接器件的第二主表面的部分上，并且在此该部分在所述衬底的法线方向上对准地被布置在功率半导体组件的背离于衬底的表面的上方，其中，压力元件是由弹性壳构成的，在所述弹性壳的内部中布置有相变材料。
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公开(公告)号：CN115706062A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210928639.0
申请日：2022-08-03
申请人： 赛米控电子股份有限公司
IPC分类号： H01L23/473
摘要： 提出一种液体冷却装置，该液体冷却装置具有：包括用于布置功率半导体器件的平面的主体，其中该主体具有：第一端侧和与该第一端侧相对的第二端侧；从第一端侧延伸至第二端侧的多个管形的冷却凹部；布置在对应的冷却凹部中的第一旋流体，其中旋流体具有布置在对应的冷却凹部内的作用区段和锁止区段，其中锁止区段与锁止配对支承部和/或与另外的旋流体共同作用，以此防止作用区段在对应的凹部中扭转。
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