发明授权
- 专利标题: 一种单晶向、柱状大晶粒的铸造多晶硅的制备方法
- 专利标题(英): Preparation method of casting polysilicon with large crystal grains in single crystal direction
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申请号: CN200910152970.2申请日: 2009-09-24
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公开(公告)号: CN101654805B公开(公告)日: 2011-09-14
- 发明人: 杨德仁 , 余学功
- 申请人: 浙江大学
- 申请人地址: 浙江省杭州市西湖区浙大路38号
- 专利权人: 浙江大学
- 当前专利权人: 浙江大学
- 当前专利权人地址: 浙江省杭州市西湖区浙大路38号
- 代理机构: 杭州天勤知识产权代理有限公司
- 代理商 胡红娟
- 主分类号: C30B28/06
- IPC分类号: C30B28/06 ; C30B29/06
摘要:
本发明公开了一种同晶向、柱状大晶粒的铸造多晶硅的制备方法,包括:(1)依次将单晶硅块、硅原料、掺杂元素置于坩埚中;(2)加热使单晶硅块上的硅原料和掺杂元素融化,而每个单晶硅块不被全部融化;(3)热交换从坩埚底部开始,使单晶硅块作为籽晶诱导生长定向凝固形成多晶硅。本发明得到的柱状、大晶粒多晶硅可以有效的降低材料中的晶界密度,基本消除了当前普通铸造多晶硅中由于存在大量晶界导致电池效率降低的问题;同时,本发明得到的多晶硅中的晶粒具有同晶向,使电池制备过程中高效的碱制绒技术能够被应用,从而提高电池对光的吸收效率。
公开/授权文献
- CN101654805A 一种单晶向、柱状大晶粒的铸造多晶硅的制备方法 公开/授权日:2010-02-24
IPC分类: