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公开(公告)号：CN119929812A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510064029.4
申请日：2025-01-15
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种两步法热处理白炭黑制备高纯度非晶石英砂的方法，包括步骤：S1，将白炭黑粉末在氢氟酸和盐酸的混合酸液中浸泡后取出固体并清洗、干燥，得到高纯白炭黑粉末；S2，将高纯白炭黑粉末压制成白炭黑块体；S3，预升温加热白炭黑块体，去除其中残留的水分、羟基基团和碳基杂质，得到除羟后的样品；S4，对除羟后的样品进行先高温再低温的两步法热处理，冷却得到高致密石英块；两步法热处理中，先高温指先加热到1200℃，再低温指加热到1200℃后无保温过程直接降温至1000～1100℃保温2～10h；S5，将高致密石英块破碎得到高纯度非晶石英砂。
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公开(公告)号：CN119873846A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510260950.6
申请日：2025-03-06
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: C01B33/18
Abstract: 本发明公开了一种合成二氧化硅中氯离子杂质的深度去除方法，包括：对SiO2凝胶进行一次或反复多次的加水‑超声分散形成溶胶‑负压旋蒸至凝胶的操作，得到洗涤后的SiO2凝胶；洗涤后的SiO2凝胶减压干燥，得到SiO2颗粒；取粒径0.2～0.45微米的SiO2颗粒于300～600℃煅烧除氯。本发明具有工艺简单、易操作、低成本和无污染等优点，且极大的降低了SiO2干燥过程对设备的腐蚀。经本发明方法得到的合成SiO2中氯含量最低值可达17.05ppm，满足多种领域应用。
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公开(公告)号：CN117995974B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202410053720.8
申请日：2024-01-15
Applicant: 浙江大学
IPC: H01M4/04 , H01M4/38 , H01M4/583 , H01M4/36 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种微米级硅碳微球锂离子电池负极材料的制备方法，包括：步骤一：在反应器中通入保护气氛，升温；步骤二：向反应器中通入硅源与碳源的混合气，经化学气相沉积后制备无基底硅碳微球材料；继续升温，而后通入碳源气体，经二次化学气相沉积后得到碳包覆的硅碳微球材料；步骤三：将碳包覆的硅碳微球材料粉碎、过筛后即得。本发明通过对硅源和碳源的体积比以及化学气相沉积参数的精确控制，在原子水平实现硅与碳的均匀结合得到微米级硅碳复合材料，产物中形成的SiC4单元为惰性缓冲基质，均匀分散在硅周围，从而达到提升锂离子电池循环稳定性以及能量密度的目的。
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公开(公告)号：CN119390344A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411435774.7
申请日：2024-10-15
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: C03C1/02
Abstract: 本发明公开了一种白炭黑制备高纯合成石英砂的方法。该方法包括步骤：S1，将白炭黑在氢氟酸和盐酸的混合酸液中浸泡后取出固体并清洗、干燥，得到高纯SiO2粉末；S2，高温处理高纯SiO2粉末，去除其中残留的水分和羟基基团；S3，将步骤S2处理产物破碎成粉末后压制成块体；S4，将步骤S3得到的块体经两步煅烧法进行致密化热处理，首先加热到较低温度t1保温较短时间，然后升温至较高温度t2保温较长时间，冷却后得到高致密石英块；t1选自1100～1200℃，t1保温时间为1～2h；t2选自1300～1500℃，t2保温时间为2～10h；S5，将高致密石英块破碎，得到高致密度的高纯石英砂。
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公开(公告)号：CN114754910B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202210350969.6
申请日：2022-04-02
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G01L1/24
Abstract: 本发明涉及压力测量技术领域，公开了一种基于碳化硅拉曼信号的压力测量方法，包括以下步骤：提供碳化硅，将所述碳化硅放置在待测压力位置处；对位于所述待测压力位置处的所述碳化硅进行激光照射，形成拉曼信号；根据所述拉曼信号中的TO模或者LO模的峰位处的拉曼位移计算所述待测压力位置处的压力值。本发明基于TO模或者LO模的峰位处的拉曼位移计算所述待测压力位置处的压力值的压力测量方法，测量精度高，且更具有实践意义；且在变温情形下，碳化硅非常高的热导率能够降低误差，无须特殊的X射线防护，且无峰位重叠情况，压力计算更加准确。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119061472A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411571341.4
申请日：2024-11-06
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本申请涉及一种用于碳化硅外延生长的石墨件的清洗方法及碳化硅外延生长装置，用于碳化硅外延生长的石墨件的清洗方法对安装在外延炉的炉腔内的石墨件进行清洗，所述炉腔具有进气口和尾气出口，所述清洗方法包括：通过所述进气口往所述外延炉的所述炉腔持续通入碱蒸气。本申请的清洗方法无需将石墨件从外延炉中拆下，可直接在原位对石墨件进行清洗，免去了拆卸及安装石墨件的步骤，非常方便，且显著提高了工艺稳定性，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN118812587A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310427399.0
申请日：2023-04-20
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种四环芳烃膦酸衍生物、制备方法及其在钙钛矿基太阳能电池中的应用，属于光电子材料与器件技术领域，以具有刚性共轭平面的四环芳烃基元为母核，以烷基膦酸为锚定基团，通过四环芳烃类单体进行3‑4步反应合成得到，具有空穴迁移率高、热稳定性好、合成步骤简单、合成条件温和等优点，能够作为高效稳定的自组装空穴选择材料应用于钙钛矿基太阳能电池。将所述的四环芳烃膦酸衍生物作为自组装空穴选择材料制备钙钛矿基太阳能电池，可获得>21％的光电转化效率，相比于传统材料2PACZ，所述的四环芳烃膦酸衍生物促进了电荷传输，降低了器件整体的串联电阻，提升了钙钛矿基器件的光电转化效率。
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公开(公告)号：CN114518070B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202210156964.X
申请日：2022-02-21
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G01B11/00
Abstract: 本发明涉及显微镜技术领域，公开了一种与扫描探针显微镜联用系统的快速定位方法、系统，包括：获取样品在高倍显微镜下拍摄得到的第一样品图像；对第一样品图像进行校准并计算第一样品图像的四个顶点坐标；获取样品在扫描探针显微镜下拍摄得到的第二样品图像；对第二样品图像进行校准并计算第二样品图像的四个顶点坐标，其中，样品在第一样品图像和第二样品图像中所呈现的摆放位置相同，第一样品图像的四个顶点坐标和所述第二样品图像的四个顶点坐标；对第一样品图像进行代码解析，计算目标区域的位置坐标，在第二样品图像中根据所述位置坐标找到对应的扫描区域。本发明可以在扫描探针显微镜下快速定位到需要扫描的目标区域。
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公开(公告)号：CN118338770B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410748864.5
申请日：2024-06-12
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅光电神经突触器件及其制备方法与应用，该碳化硅光电神经突触器件包括依次层叠设置的顶电极、碳化硅半导体材料层以及底电极，其中，碳化硅半导体材料层中包括有能够捕获和释放载流子的缺陷能级，顶电极不完全覆盖碳化硅半导体材料层。该碳化硅光电神经突触器件在室温至高达600K的温度下均能够表现出优异的突触可塑性。
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公开(公告)号：CN118448488A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410569518.0
申请日：2024-05-09
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/0352 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种基于掺锡的锗量子点/六方硅纳米线的宽波段响应自驱动型光电探测器及其制备方法和应用。光电探测器包括：衬底；位于衬底上的掺锡的锗量子点/六方硅纳米线结构；电极，包括正电极和负电极，与掺锡的锗量子点/六方硅纳米线结构形成欧姆接触或肖特基结接触。制备方法包括：在衬底上生长和/或转移六方硅纳米线结构；在六方硅纳米线结构表面沉积和/或旋涂掺锡的锗量子点，并进行退火处理；制作电极。
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