发明授权
CN101667561B 硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法
- 专利标题(英): Silicon-based vapor-liquid phase separating heat radiation chip and preparation method thereof
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申请号: CN200910112478.2申请日: 2009-09-04
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公开(公告)号: CN101667561B公开(公告)日: 2012-05-23
- 发明人: 张玉龙 , 张保平 , 罗仲梓 , 蒋书森 , 张艳 , 谷丹丹 , 张春权 , 李燕飞
- 申请人: 厦门大学
- 申请人地址: 福建省厦门市思明南路422号
- 专利权人: 厦门大学
- 当前专利权人: 厦门大学
- 当前专利权人地址: 福建省厦门市思明南路422号
- 代理机构: 厦门南强之路专利事务所
- 代理商 马应森
- 主分类号: H01L23/427
- IPC分类号: H01L23/427 ; H01L23/367 ; H01L21/48 ; H01L21/50
摘要:
硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法,涉及一种电子元器件的散热芯片。提供一种能够克服以上硅基散热器的缺点,提高硅基散热器散热效能的硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法。散热芯片为上下两层结构,分别为上硅片和下硅片,在上硅片上设有冷却液体加载口、液体汽化室和气体微通道,在下硅片上设有冷却液体储槽和液体微通道。1)加工上硅片正面结构,2)加工上硅片背面结构,3)加工下硅片,4)再将上硅片和下硅片对准键合。
公开/授权文献
- CN101667561A 硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法 公开/授权日:2010-03-10