发明公开
- 专利标题: Al-基合金溅射靶及其制造方法
- 专利标题(英): Al-based alloy sputtering target and manufacturing method thereof
-
申请号: CN200910132939.2申请日: 2009-03-31
-
公开(公告)号: CN101691657A公开(公告)日: 2010-04-07
- 发明人: 高木胜寿 , 岩崎祐纪 , 得平雅也 , 后藤裕史 , 三木绫 , 奥野博行 , 越智元隆 , 岸智弥
- 申请人: 株式会社钢臂功科研 , 株式会社神户制钢所
- 申请人地址: 日本国兵库县
- 专利权人: 株式会社钢臂功科研,株式会社神户制钢所
- 当前专利权人: 株式会社钢臂功科研,株式会社神户制钢所
- 当前专利权人地址: 日本国兵库县
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 李贵亮
- 优先权: 2008-093264 2008.03.31 JP
- 主分类号: C23C14/34
- IPC分类号: C23C14/34 ; C23C14/14 ; C22C21/00 ; C22C21/12 ; C22C1/02 ; C22F1/04 ; C22F1/057
摘要:
本发明提供一种能减少溅射靶在使用初始阶段产生的飞溅,由此防止配线膜等中产生的缺陷,提高FPD的成品率和动作性能的Al-(Ni,Co)-(Cu,Ge)-(La,Gd,Nd)系合金溅射靶及其制造方法。本发明涉及构成分别含有选自A组(Ni,Co)中的至少一种、选自B组(Cu,Ge)中的至少一种和选自C组(La,Gd,Nd)中的至少一种的Al-(Ni,Co)-(Cu,Ge)-(La,Gd,Nd)系合金溅射靶,并且其维氏硬度(HV)为35以上的Al-基合金溅射靶。
公开/授权文献
- CN101691657B Al-基合金溅射靶及其制造方法 公开/授权日:2012-07-25
IPC分类: