发明授权
CN101734628B 一种用镁基储氢材料对噻吩进行加氢的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种用镁基储氢材料对噻吩进行加氢的方法
- 专利标题(英): Method for hydrogenating thiofuran by using magnesium-based hydrogen storage materials
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申请号: CN200910231148.5申请日: 2009-12-10
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公开(公告)号: CN101734628B公开(公告)日: 2011-07-27
- 发明人: 周仕学 , 张鸣林 , 陈海鹏 , 张光伟 , 康凤楠 , 张同环 , 马怀营 , 王斌 , 杨敏建 , 李桂江
- 申请人: 山东科技大学
- 申请人地址: 山东省青岛市青岛经济技术开发区前湾港路579号
- 专利权人: 山东科技大学
- 当前专利权人: 山东科技大学
- 当前专利权人地址: 山东省青岛市青岛经济技术开发区前湾港路579号
- 代理机构: 济南舜源专利事务所有限公司
- 代理商 王连君
- 主分类号: C01B17/16
- IPC分类号: C01B17/16 ; B01J23/889
摘要:
本发明公开一种用镁基储氢材料对噻吩进行加氢的方法,特征是包括步骤:以活性炭、铁、锰与镁为原料制取储氢材料;使噻吩与步骤a获得的储氢材料接触,在250~350℃温度条件下进行反应生成硫化氢。上述步骤中,以活性炭为载体,用浸渍法负载铁和锰,然后与镁粉在氢气中进行反应球磨即可制得所述储氢材料。本发明用镁基储氢材料作为噻吩加氢的氢源和催化剂,使噻吩加氢转化为硫化氢,不使用稀有金属和重金属催化剂,反应压强不超过1.0MPa、反应温度不超过350℃,对加氢反应器材质要求低。
公开/授权文献
- CN101734628A 一种用镁基储氢材料对噻吩进行加氢的方法 公开/授权日:2010-06-16