发明授权
CN101736172B 一种SiGe合金热电材料的制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种SiGe合金热电材料的制备方法
- 专利标题(英): Preparation method of SiGe alloy thermoelectric material
-
申请号: CN201010028932.9申请日: 2010-01-08
-
公开(公告)号: CN101736172B公开(公告)日: 2011-08-03
- 发明人: 唐新峰 , 罗文辉 , 张文浩
- 申请人: 武汉理工大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
- 专利权人: 武汉理工大学
- 当前专利权人: 武汉理工大学
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
- 代理机构: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司
- 代理商 唐万荣
- 主分类号: C22C1/02
- IPC分类号: C22C1/02 ; B22F9/04 ; B22F3/105
摘要:
本发明涉及一种SiGe合金热电材料的制备方法。一种SiGe合金热电材料的制备方法,其特征在于它包括如下步骤:1)以高纯Si块、高纯Ge块和掺杂物为原料,按化学式Si80Ge20X0~3称重,化学式中X表示掺杂物的元素;将高纯Si块、高纯Ge块和掺杂物混合后,在氩电弧熔融炉中熔融2~3次,每次30s,得到合金块体;2)将步骤1)中得到的合金块体碾磨破碎,然后以酒精为球磨工艺控制剂在球磨机中球磨1~2h,干燥后得到合金粉末;3)对步骤2)中得到的合金粉末进行放电等离子烧结,得到致密、块体的SiGe合金热电材料。本发明工艺简单、制备时间短,工艺参数容易控制,所制备的材料性能高。
公开/授权文献
- CN101736172A 一种SiGe合金热电材料的制备方法 公开/授权日:2010-06-16