发明公开
- 专利标题: 利用晶片结合和电化学蚀刻停止的小型表压传感器
- 专利标题(英): Small gauge pressure sensor using wafer bonding and electrochemical etch stopping
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申请号: CN200880023226.6申请日: 2008-07-02
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公开(公告)号: CN101743637A公开(公告)日: 2010-06-16
- 发明人: C·E·斯图尔特 , G·莫雷尔斯 , R·A·戴维斯
- 申请人: 霍尼韦尔国际公司
- 申请人地址: 美国新泽西州
- 专利权人: 霍尼韦尔国际公司
- 当前专利权人: 霍尼韦尔国际公司
- 当前专利权人地址: 美国新泽西州
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 李娜; 王忠忠
- 优先权: 11/825237 2007.07.05 US
- 国际申请: PCT/US2008/068994 2008.07.02
- 国际公布: WO2009/006515 EN 2009.01.08
- 进入国家日期: 2010-01-04
- 主分类号: H01L29/84
- IPC分类号: H01L29/84 ; G01L9/06 ; G01L9/08 ; H01L29/78
摘要:
本发明涉及一种表压传感器装置及其制作方法。对约束晶片进行部分蚀刻以设置膜片尺寸,然后结合到一上部晶片。上部晶片的厚度可以是期望的膜片厚度,或者在结合后减薄为期望厚度。上部晶片和约束晶片的结合使得能够进行电化学蚀刻停止。这允许通过约束晶片的背侧来蚀刻介质通道,并且当蚀刻到达膜片时产生电信号。该工艺防止膜片过蚀刻。与通过从背侧蚀刻设置膜片尺寸的情况下的管芯相比,本发明允许管芯的尺寸更小。
IPC分类: