- 专利标题: 光刻胶剥离剂用组合物及薄膜晶体管阵列基板的制造方法
- 专利标题(英): Composition for photoresist stripper and method of fabricating thin film transistor array substrate
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申请号: CN200910253786.7申请日: 2009-12-17
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公开(公告)号: CN101750916A公开(公告)日: 2010-06-23
- 发明人: 郑钟铉 , 金俸均 , 朴弘植 , 洪瑄英 , 崔永柱 , 李炳珍 , 徐南锡 , 金炳郁 , 尹锡壹 , 郑宗铉 , 辛成健 , 许舜范 , 郑世桓 , 张斗瑛 , 朴善周 , 权五焕
- 申请人: 三星电子株式会社 , 东进瑟弥侃株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道
- 专利权人: 三星电子株式会社,东进瑟弥侃株式会社
- 当前专利权人: 东进瑟弥侃株式会社
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 金拟粲
- 优先权: 128684/08 2008.12.17 KR
- 主分类号: G03F7/42
- IPC分类号: G03F7/42 ; H01L21/82
摘要:
根据一个或多个实施方法提供光刻胶剥离剂用组合物及薄膜晶体管阵列基板的制造方法。在一个或多个实施方式中,所述组合物包括约5-30重量%的链状胺化合物、约0.5-10重量%的环状胺化合物、约10-80重量%的二醇醚化合物、约5-30重量%的蒸馏水和约0.1-5重量%的腐蚀抑制剂。
公开/授权文献
- CN101750916B 光刻胶剥离剂用组合物及薄膜晶体管阵列基板的制造方法 公开/授权日:2013-08-14
IPC分类: