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公开(公告)号：CN101256366B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200810092008.X
申请日：2008-02-20
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 本发明涉及一种光刻胶剥离组合物和使用其剥离光刻胶膜的方法。提供一种光刻胶剥离组合物，其包括约80重量％-约98.5重量％的γ-丁内酯、约1重量％-约10重量％的氨基甲酸烷基酯、约0.1重量％-约5重量％的烷基磺酸和约0.1重量％-约5重量％的非离子型表面活性剂。可将该光刻胶剥离组合物再度用于从基板上剥离光刻胶膜而不降低剥离能力和损坏金属图案，使得可以降低光刻工艺的成本。
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公开(公告)号：CN101750916A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910253786.7
申请日：2009-12-17
CPC分类号： G03F7/425 , H01L27/124 , H01L27/1288
摘要： 根据一个或多个实施方法提供光刻胶剥离剂用组合物及薄膜晶体管阵列基板的制造方法。在一个或多个实施方式中，所述组合物包括约5-30重量％的链状胺化合物、约0.5-10重量％的环状胺化合物、约10-80重量％的二醇醚化合物、约5-30重量％的蒸馏水和约0.1-5重量％的腐蚀抑制剂。
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公开(公告)号：CN101256366A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810092008.X
申请日：2008-02-20
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 本发明涉及一种光刻胶剥离组合物和使用其剥离光刻胶膜的方法。提供一种光刻胶剥离组合物，其包括约80重量％－约98.5重量％的γ－丁内酯、约1重量％－约10重量％的氨基甲酸烷基酯、约0.1重量％－约5重量％的烷基磺酸和约0.1重量％－约5重量％的非离子型表面活性剂。可将该光刻胶剥离组合物再度用于从基板上剥离光刻胶膜而不降低剥离能力和损坏金属图案，使得可以降低光刻工艺的成本。
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公开(公告)号：CN101750916B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN200910253786.7
申请日：2009-12-17
CPC分类号： G03F7/425 , H01L27/124 , H01L27/1288
摘要： 根据一个或多个实施方法提供光刻胶剥离剂用组合物及薄膜晶体管阵列基板的制造方法。在一个或多个实施方式中，所述组合物包括约5-30重量％的链状胺化合物、约0.5-10重量％的环状胺化合物、约10-80重量％的二醇醚化合物、约5-30重量％的蒸馏水和约0.1-5重量％的腐蚀抑制剂。
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公开(公告)号：CN101447490A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810173348.5
申请日：2008-11-13
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 金彰洙 , 宁洪龙 , 金俸均 , 朴弘植 , 金时烈 , 郑敞午 , 金湘甲 , 尹在亨 , 李禹根 , 裴良浩 , 尹弼相 , 郑钟铉 , 洪瑄英 , 金己园 , 李炳珍 , 李永旭 , 金钟仁 , 金炳范 , 徐南锡
IPC分类号： H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768
CPC分类号： G02F1/13458 , G02F1/136286 , G02F2001/136295 , H01L27/1218 , H01L27/124 , H01L27/1288
摘要： 一种阵列基板，其中栅极线包括形成在基部基板上的第一种子层和形成在所述第一种子层上的第一金属层。第一绝缘层形成在所述基部基板上。第二绝缘层形成在所述基部基板上。在这里，线沟槽沿与所述栅极线相交叉的方向穿过所述第二绝缘层形成。数据线包括形成在所述线沟槽下的第二种子层和形成在所述线沟槽中的第二金属层。像素电极形成在所述基部基板的像素区域。因此，使用绝缘层来形成预定深度的沟槽，并且通过电镀方法形成金属层，从而能够形成具有足够厚度的金属线。本发明还提供了一种阵列基板制造方法。
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公开(公告)号：CN101886266A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010183534.4
申请日：2010-05-14
CPC分类号： C23F1/26 , C23F1/18 , H01L21/32134 , H01L27/124 , H01L29/458
摘要： 本发明披露了一种蚀刻剂和使用蚀刻剂制造阵列基板的方法。该蚀刻剂包括按重量计大约0.1％至按重量计大约30％的过硫酸铵(NH4)2S2O8、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的无机酸、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的乙酸盐、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的含氟化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的磺酸化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约2％的唑化合物、以及余量的水。这样，蚀刻剂可以具有高稳定性以保持蚀刻能力。因此，可以提高制造裕度，使得可以降低制造成本。
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公开(公告)号：CN1976044A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610140028.0
申请日：2006-10-08
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768
摘要： 一种薄膜晶体管阵列面板，包括：像素电极，形成在基板上；栅极线，形成在像素电极上；栅极绝缘薄膜，形成在栅极线上；半导体，形成在栅极绝缘薄膜上；数据线和漏电极，形成在栅极绝缘薄膜上；以及钝化层，形成在数据线和漏电极的部分上。栅极线包括与像素电极形成在相同层上并且具有相同材料的第一薄膜以及形成在第一薄膜上的第二薄膜。
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公开(公告)号：CN102104049A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010570119.4
申请日：2010-12-02
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 宋溱镐 , 崔新逸 , 洪瑄英 , 金时烈 , 李基晔 , 尹在亨 , 金成烈 , 徐五成 , 裴良浩 , 郑钟铉 , 杨东周 , 金俸均 , 吴和烈 , 洪泌荀 , 金柄范 , 朴帝亨 , 丁有光 , 金钟仁 , 徐南锡
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/49 , H01L23/52 , H01L21/77
CPC分类号： H01L27/124 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1288 , H01L29/42368 , H01L29/458 , H01L29/78669
摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。薄膜晶体管阵列面板包括：栅极线；栅极绝缘层，覆盖栅极线；半导体层，设置在栅极绝缘层上；数据线和漏极，设置在半导体层上；钝化层，覆盖数据线和漏极，并具有暴露漏极的一部分的接触孔；像素电极，通过接触孔电连接到漏极。数据线和漏极均具有包括钛的下层和铜的上层的双层，下层比上层宽，且下层具有暴露的区域。栅极绝缘层可具有台阶形状。
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公开(公告)号：CN101188242A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710192825.8
申请日：2007-11-20
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , G02F1/1362
CPC分类号： H01L27/1288 , G02F1/136227 , H01L27/1214
摘要： 本发明提供一种具有降低的制造成本和缺陷率的薄膜晶体管基板。所述薄膜晶体管基板包括：栅极布线，形成于绝缘基板上且包括栅电极；数据布线，形成于所述栅极布线上且包括源电极和漏电极；钝化层图案，形成于除了所述漏电极和像素区之外的部分所述数据布线上；以及电连接到所述漏电极的像素电极。所述像素电极包括氧化锌。
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