发明授权
CN101752168B 一种多级降压收集极双层电极及制备工艺
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种多级降压收集极双层电极及制备工艺
- 专利标题(英): Double-layer electrode for multi-level depressed collector and preparation process thereof
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申请号: CN200810238872.6申请日: 2008-12-03
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公开(公告)号: CN101752168B公开(公告)日: 2011-06-15
- 发明人: 赵建东 , 吕京京
- 申请人: 中国科学院电子学研究所
- 申请人地址: 北京市海淀区北四环西路19号
- 专利权人: 中国科学院电子学研究所
- 当前专利权人: 中国科学院电子学研究所
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区北四环西路19号
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 周国城
- 主分类号: H01J23/027
- IPC分类号: H01J23/027 ; H01J9/02
摘要:
本发明公开了一种多级降压收集极双层电极及制备工艺,涉及真空器件技术,包括金属层、石墨层,两层间相对表面紧密固接;其中,石墨层材料为热解石墨或高密度各向同性石墨。该电极可以利用外层电极保证与陶瓷或其它金属的气密封接,而其内层的热解石墨或高密度各向同性石墨具有很低的二次电子发射系数,有利于提高多级降压收集极的效率。该制备工艺,采用涂敷、烧结技术,简单、牢固。
公开/授权文献
- CN101752168A 一种多级降压收集极双层电极及制备工艺 公开/授权日:2010-06-23