公开(公告)号：CN101752168B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200810238872.6

申请日：2008-12-03

申请人： 中国科学院电子学研究所

发明人： 赵建东 ,  吕京京

IPC分类号： H01J23/027 ,  H01J9/02

摘要： 本发明公开了一种多级降压收集极双层电极及制备工艺，涉及真空器件技术，包括金属层、石墨层，两层间相对表面紧密固接；其中，石墨层材料为热解石墨或高密度各向同性石墨。该电极可以利用外层电极保证与陶瓷或其它金属的气密封接，而其内层的热解石墨或高密度各向同性石墨具有很低的二次电子发射系数，有利于提高多级降压收集极的效率。该制备工艺，采用涂敷、烧结技术，简单、牢固。

公开(公告)号：CN101752168A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200810238872.6

申请日：2008-12-03

申请人： 中国科学院电子学研究所

发明人： 赵建东 ,  吕京京

IPC分类号： H01J23/027 ,  H01J9/02

摘要： 本发明公开了一种多级降压收集极双层电极及制备工艺，涉及真空器件技术，包括金属层、石墨层，两层间相对表面紧密固接；其中，石墨层材料为热解石墨或高密度各向同性石墨。该电极可以利用外层电极保证与陶瓷或其它金属的气密封接，而其内层的热解石墨或高密度各向同性石墨具有很低的二次电子发射系数，有利于提高多级降压收集极的效率。该制备工艺，采用涂敷、烧结技术，简单、牢固。