本发明公开了半晶体管结构的一次性可编程存储器、制造及编程读取方法，所述半晶体管包括：由多晶硅层、栅氧层、轻掺杂漏区、离子注入区形成的可编程电容；由离子注入区与重掺杂区形成的二极管；所述可编程电容与所述二极管串联连接；其中，所述多晶硅层与字线相连接，所述重掺杂区与位线相连接。利用可编程电容被击穿时形成导通电阻，未击穿时仍为绝缘电容的特性以及二极管的正向导通与反向关闭的特性，实现具有存储单元面积小，集成度高，能够随工艺的发展而进一步提高集成度，基于现有逻辑工艺，无需增加特殊工艺、具有高数据存储稳定性和可靠性的一次性可编程存储器。