发明公开
CN101786650A 一种低温下原位合成片状硫化银纳米晶光电薄膜的化学方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种低温下原位合成片状硫化银纳米晶光电薄膜的化学方法
- 专利标题(英): Chemical method for in situ synthesis of platy silver sulphide nano crystal photoelectric film at low temperature
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申请号: CN201010111402.0申请日: 2010-02-08
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公开(公告)号: CN101786650A公开(公告)日: 2010-07-28
- 发明人: 郑直 , 李大鹏 , 雷岩 , 贾会敏 , 法文君 , 李品将 , 赵红晓 , 杨风岭
- 申请人: 许昌学院 , 郑直
- 申请人地址: 河南省许昌市八一路88号
- 专利权人: 许昌学院,郑直
- 当前专利权人: 许昌学院,郑直
- 当前专利权人地址: 河南省许昌市八一路88号
- 代理机构: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司
- 代理商 张安国
- 主分类号: C01G5/00
- IPC分类号: C01G5/00 ; B82B3/00 ; H01L31/032
摘要:
一种低温下原位合成片状硫化银纳米晶光电薄膜的化学方法。该方法先将硫粉加入到容器中,然后加入有机溶剂,有机溶剂的体积大于容器容积的1/2,再将具有洁净金属银表面的基底材料倾斜或水平置于容器底部,避免与硫粉直接接触。把其基底材料和硫粉沉浸于溶剂液面之下,在20~60℃温度反应4~184小时,反应物中单质硫粉的浓度保持在饱和状态,即在具有洁净金属银表面的基底材料表面原位制得片状硫化银纳米晶组成的薄膜材料,产物用无水乙醇洗涤,室温干燥即可。获得具有洁净金属银表面基底材料的方法,是将具有金属银表面的基底材料置于无水乙醇中,用超声波清洗器清洗3分钟后浸泡于DMF或无水乙醇中待用。本方法低温、低能耗、方便快捷,便于工业化生产。
公开/授权文献
- CN101786650B 一种低温下原位合成片状硫化银纳米晶光电薄膜的化学方法 公开/授权日:2011-11-02
IPC分类: