发明授权
CN101789429B 金属-绝缘体-金属电容结构及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 金属-绝缘体-金属电容结构及其制造方法
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申请号： CN200910045899.8申请日： 2009-01-23
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公开(公告)号： CN101789429B公开(公告)日： 2011-12-07
- 发明人: 张步新 , 王媛
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 李丽
- 主分类号： H01L27/08
- IPC分类号： H01L27/08 ; H01L23/528 ; H01L21/782 ; H01L21/768
摘要：
本发明提供了一种金属-绝缘体-金属电容结构及其制造方法，所述电容结构包括：半导体衬底；在半导体衬底上逐层形成的金属-绝缘体-金属电容；在相邻两层金属-绝缘体-金属电容之间形成的金属互连层；其中，至少两层的金属-绝缘体-金属电容通过金属互连层并联。具有如下优点：不增加占用面积的情况下，增大了金属-绝缘体-金属电容的容量，各层重复的金属-绝缘体-金属电容制作步骤有利于降低工艺的成本和的兼容度，且便于制程整合易于实现。
公开/授权文献
- CN101789429A 金属-绝缘体-金属电容结构及其制造方法 公开/授权日：2010-07-28
IPC分类:
