发明授权
CN101833247B 微光刻投影曝光系统的投影物镜的光学测量的测量系统
失效 - 权利终止
- 专利标题: 微光刻投影曝光系统的投影物镜的光学测量的测量系统
- 专利标题(英): Measuring system for the optical measurement of projecting object lens of micro-lithography projection exposure system
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申请号: CN201010004587.5申请日: 2005-06-02
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公开(公告)号: CN101833247B公开(公告)日: 2013-11-06
- 发明人: M·门格尔 , U·维格曼 , A·厄尔曼 , W·埃默 , R·克莱门特 , L·马蒂杰森
- 申请人: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
- 申请人地址: 德国上科亨
- 专利权人: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
- 当前专利权人: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
- 当前专利权人地址: 德国上科亨
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 邱军
- 优先权: 60/576,803 2004.06.04 US
- 分案原申请号: 2005800180319 2005.06.02
- 主分类号: G03F7/20
- IPC分类号: G03F7/20
摘要:
一种用于微光刻投影曝光系统的投影物镜的光学测量的测量系统,所述投影物镜被配置为将设置于所述投影物镜的物面中的图案成像到所述投影物镜的像面上,所述投影物镜被设计为浸没物镜,用于借助设置在所述投影物镜的物侧和像侧的至少一个上的浸液进行成像;其特征在于所述测量系统包括:至少一个具有测量结构的结构载体,该结构载体被设置在浸液区域中,给该结构载体分配一个保护系统,以提高测量结构对由浸液导致的降解的抵抗力。因此,在浸液条件下的浸液系统的测量在测量精确度方面,可能不受浸液的有害影响。
公开/授权文献
- CN101833247A 微光刻投影曝光系统的投影物镜的光学测量的测量系统 公开/授权日:2010-09-15