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公开(公告)号：CN119575752A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411809750.3
申请日：2021-06-17
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
Abstract: 本发明涉及用于表征微光刻掩模的设备和方法。根据一个方面，根据本发明的设备包括：发射相干光的至少一个光源(105、205、405a、405b、605)；照明光学单元(110、210、310、311、410、510、610、710、810)，其从至少一个光源的相干光在掩模(120、220、620、720、820)上产生衍射限制的光斑；扫描装置，通过扫描装置可以实现衍射限制的光斑相对于掩模的扫描移动；传感器单元(130、230、630、730、830)；以及评估单元，用于评估入射到传感器单元上且来自掩模的光；输出耦合元件(140、240、340)，用于耦合出由至少一个光源发射的相干光的一部分(145、245)；以及强度传感器(150、250)，用于捕获该输出耦合部分(145、245)的强度。
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公开(公告)号：CN119547015A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202380051942.X
申请日：2023-05-23
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明涉及一种用于半导体光刻的投射曝光系统(1、101)的光学元件(Mx、117)，该光学元件包括基座元件(30)和连接到基座元件(30)的至少一个致动器(40)，其中致动器(40)被设计为环形致动器。本发明还涉及一种用于半导体光刻的投射曝光系统，其设置有对应的光学元件，以及一种光学元件，其包括用于确定光学有效表面的变形的传感器，其中传感器被设计为检测允许与光学有效表面的变形相关的信号。
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公开(公告)号：CN119487448A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202380050991.1
申请日：2023-05-10
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
Inventor： T·波拉克
Abstract: 本发明涉及一种具有光学元件（Mx,117）的光学组件（30），其中光学元件（Mx,117）包括主体（31），并且其中用于使主体（31）变形的至少一个致动器（35）布置在主体（31）的后侧上，并且其中至少一个致动器（35）在第一连接表面处连接到主体（33）的后侧，并且在第二连接表面处连接到背板（36），其中背板（36）仅通过致动器（35）安装。
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公开(公告)号：CN119422034A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202380048481.0
申请日：2023-06-20
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
Inventor： H·詹内怀恩
Abstract: 本发明涉及一种用于干涉测量地确定测试对象的表面形状的方法和测量组件，测试对象特别是微光刻投射曝光系统的光学元件。在根据本发明的方法中，由计算机生成的全息图(CGH)(110、210、211、310、410)上的衍射电磁辐射生成的测试波被测试对象(120、220、320、420)反射为球面波，其中所述球面波的子区域在自准直过程中由球面反射镜(130、230、330、430)反射回测试对象(120、220、320、420)，并且与未在测试对象(120、220、320、420)处反射的参考波叠加，基于多个干涉测量来确定测试对象(120、220、320、420)的表面形状，所述多个干涉测量连续执行并且相对于在自准直过程中由球面反射镜(130、230、330、430)反射的球面波的子区域彼此不同。
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公开(公告)号：CN119365823A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202380047537.0
申请日：2023-06-06
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
Abstract: 一种用于将物场(5)成像到像场(11)的成像EUV光学单元(24)。该EUV光学单元(24)具有多个反射镜(M1至M4)，用于沿成像射束路径从该物场(5)将波长短于30nm的EUV成像光(16)引导朝向该像场(11)。该成像EUV光学单元(24)具有四个NI反射镜(M1至M4)。所述NI反射镜(M1至M4)的总传输率大于10％。当使用线性偏振EUV成像光(16)时，所述反射镜(M1至M4)导致沿成像射束路径的总体偏振旋转不超过10°。这使得成像EUV光学单元具有更高的EUV产出，同时满足对成像质量的严格要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119301726A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202380043601.8
申请日：2023-05-05
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: H01J37/20 , H01J37/28 , H01J37/305
Abstract: 一种获得晶片的测量部位的一序列相互平行的多个剖面图像的方法，该方法包括以下步骤：1a)以一重合配置提供聚焦离子束(FIB)柱和带电粒子束(CPB)成像柱，在该重合配置中，该FIB柱的FIB光轴和该CPB成像柱的CPB光轴在晶片表面重合，并且该FIB光轴和该CPB光轴之间形成配置角度GFE；1b)在该重合配置中，使用该FIB柱去除该晶片的测量部位的剖面表面层，以形成可用于成像的新剖面；1c)在沿着该CPB成像柱的轴的方向上缩短该CPB成像柱与该晶片表面之间的工作距离；1d)在缩短的该工作距离处且因此不在该重合配置中，以该CPB成像柱对该晶片的该测量部位处的该新剖面进行成像；1e)在沿着该CPB成像柱的轴的方向上增加该CPB成像柱与该晶片表面之间的该工作距离，直到达成该重合配置。
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公开(公告)号：CN111602091B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN201880086458.X
申请日：2018-12-17
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
Inventor： R.茨威林
Abstract: 本发明涉及一种半导体光刻的投射影印系统(1)，包括投射影印系统(1)的至少一个部件(21)和结构构件(22)，其中部件(21)被附接到结构构件，并且部件(21)和/或结构构件(22)包括至少一个止动件(28，40)，用于在结构构件和/或部件(21)上应用于参考表面(25)。止动件(28，40)设计为使得其相对于附接到所述结构构件(22)的部件(21)和/或结构构件(22)可移动，使得止动件可以从参考表面(25)移开。此外，本发明涉及一种调节投射影印系统(1)的结构构件(22)上的部件(21)的方法，包括以下步骤：将至少一个止动件(28，40)附接到部件(21)或结构构件(22)；定位部件(21)，使得至少一个止动件(28，40)在部件(21)或结构构件(22)上与参考表面(25)机械接触；将部件(21)附接到结构构件(22)；以及使止动件(28，40)移动离开参考表面(25)。
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公开(公告)号：CN119013757A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202380032436.6
申请日：2023-03-28
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: H01J37/305
Abstract: 本发明涉及用于在半导体晶片的检查部位处的检查体积的三维电路图案检查方法，更具体地，涉及用于以增加的精度和准确度来确定半导体晶片的检查体积中诸如HAR结构的3D对象的参数的方法、计算机程序产品和相应的半导体检查系统。该方法采用对检查体积中的多个横截面表面进行铣削和成像，并从中形成平均图像切片堆栈。由此，以高准确度和高鲁棒性确定来自平均图像切片堆栈的3D对象的检查参数。该方法、计算机程序产品和设备可用于半导体晶片内集成电路的定量计量、缺陷检测、过程监控、缺陷检视和检查。
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公开(公告)号：CN114008510B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202080044303.7
申请日：2020-06-09
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
Abstract: 本发明关于反射镜，尤其是用于微光刻投射曝光装置。根据一方面，根据本发明的反射镜具有光学有效表面(11,31)、反射镜基板(12,32)、用以反射入射在光学有效表面上的电磁辐射的反射层系统(21,41)、以及至少一个压电层(16,36)，其中压电层布置在反射镜基板和反射层系统之间，且通过位于面向反射层系统的压电层的一侧上的第一电极配置，以及通过位于面向反射镜基板的压电层的一侧上的第二电极配置，能够施加用以产生局部可变变形的电场至压电层，其中该电极配置中的一个分配有中介层(17,37,51,52,53,71)，用于设定沿相应电极配置的电位的至少区域性连续的轮廓；以及其中该中介层具有至少两个相互电绝缘的区域(17a,17b,17c,…；37a,37b,37c,…)。
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公开(公告)号：CN118974652A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380031139.X
申请日：2023-03-31
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
Abstract: 一种驱动装置(100)，用于驱动和测量致动器(200)，致动器用于致动光学系统(300)的光学元件(310)，驱动装置包括：驱动单元(110)，其具有频率相关第一转移函数(G1)，第一转移函数(G1)配置成放大具有至少第一频率范围(F1)和第二频率范围(F2)的时间相关AC电压信号(W)，以形成用于致动器(200)的驱动电压(AS)，使得第一频率范围(F1)相对于第二频率范围(F2)以特定因子经受更高的增益；电压测量单元(120)，其用于提供测量电压(U)并配置为在时域中将致动器(200)的时间相关电压(u)与第二转移函数(G2)进行卷积运算，第二转移函数(G2)基于第一转移函数(G1)的反函数，随后所述测量时间相关电压以提供测量电压(U)；以及电流测量单元(130)，其用于提供测量电流(I)并配置为在时域中将致动器(200)的时间相关电流(i)与第三转移函数(G3)进行卷积运算，第三转移函数(G3)基于第一转移函数(G1)的反函数，以及配置为随后测量时间相关电流以提供测量电流(I)。
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