本申请公开了一种发光二极管。该二极管包括：具有第一导电类型的碳化硅衬底(21)；位于SiC衬底之上的、导电类型与衬底相同的第一氮化镓层(25)；在GaN层(27)上的、由选自GaN、InGaN和AlInGaN的多个交替层重复系列形成的超晶格；位于超晶格上、导电类型与第一GaN层相同的第二GaN层(30)；第二GaN层上的多量子阱(31)；多量子阱上的第三GaN层；位于第三GaN层(32)上、导电类型与衬底和第一GaN层相反的接触结构；对SiC衬底的欧姆接触；和对接触结构的欧姆接触。