公开(公告)号：CN107112384A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580070562.6

申请日：2015-11-18

Applicant: 克里公司

Inventor： M·J·伯格曼 ,  C·K·布拉克利 ,  A·F-Y·普恩 ,  J·C·雷赫泽尔

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62

Abstract: 发光二极管(LED)部件包括引线框架和LED，LED使用焊料层电连接到引线框架而无线接合。引线框架包括金属阳极垫、金属阴极垫和塑料杯。LED管芯包括在其上具有焊料层的LED管芯阳极和阴极触件。金属阳极垫、金属阴极垫、塑料杯和/或焊料层被构造为便于将LED管芯直接管芯附着到引线框架而不线接合。还描述了相关的制造方法。

公开(公告)号：CN102047456A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200980121201.4

申请日：2009-03-31

Applicant: 克里公司

Inventor： A·奇特尼斯 ,  J·埃德蒙 ,  J·C·布里特 ,  B·P·克勒 ,  D·T·埃默森 ,  M·J·伯格曼 ,  J·S·凯巴卢

IPC: H01L33/50

CPC classification number: H01L33/508 ,  H01L33/0095 ,  H01L2224/13 ,  H01L2933/0041 ,  Y10T408/47

Abstract: 一种用于制造发光二极管(LED)芯片的方法，包括典型地在晶圆上提供多个发光二极管，并用转换材料涂敷所述发光二极管，以使至少一些来自所述发光二极管的光穿过所述转换材料并被转换。来自发光二极管芯片的光发射包括来自转换材料的光，典型性地与发光二极管的光相组合。至少一些发光二极管芯片的发射特性被测量，并且发光二极管上的至少一些转换材料被移除，以改变发光二极管芯片的发射特性。本发明特别地可应用于在晶圆上制造发光二极管芯片，其中发光二极管芯片具有在目标发射特性的范围内的光发射特性。该目标范围可落入CIE曲线上的发射区域内，以减少对来自晶圆的发光二极管的装仓的需求。通过对发光二极管上的转换材料微加工，晶圆中的发光二极管芯片的发射特性可被调谐至期望的范围。

公开(公告)号：CN107112384B

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201580070562.6

申请日：2015-11-18

Applicant: 克里公司

Inventor： M·J·伯格曼 ,  C·K·布拉克利 ,  A·F-Y·普恩 ,  J·C·雷赫泽尔

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62

Abstract: 发光二极管(LED)部件包括引线框架和LED，LED使用焊料层电连接到引线框架而无线接合。引线框架包括金属阳极垫、金属阴极垫和塑料杯。LED管芯包括在其上具有焊料层的LED管芯阳极和阴极触件。金属阳极垫、金属阴极垫、塑料杯和/或焊料层被构造为便于将LED管芯直接管芯附着到引线框架而不线接合。还描述了相关的制造方法。

公开(公告)号：CN102668132B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201080035958.4

申请日：2010-05-26

Applicant: 克里公司

Inventor： M·多诺弗里奥 ,  W·T·帕克 ,  M·J·伯格曼 ,  S·S·吉尔摩尔 ,  J·T·诺尔曼 ,  K·S·施奈德

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L33/0095 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/22

Abstract: 发光二极管(LEDs)的晶圆被激光划线以产生激光划线切口。随后，所述晶圆例如通过湿蚀刻而被清洗以减少划线损害。随后，在已被清洗的所述晶圆上形成用于所述LEDs的电触点层。可替代地，在触点形成之前可以由多个蚀刻产生所述划线切口。相关的LEDs也被描述。

公开(公告)号：CN103380501A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201280009704.4

申请日：2012-01-13

Applicant: 克里公司

Inventor： M·J·伯格曼 ,  C·D·威廉斯 ,  K·S·施耐德 ,  K·哈伯恩 ,  M·多诺弗里欧

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L27/153 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/40 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种发光二极管芯片包括：支撑层，所述支撑层具有第一正面以及与第一正面相对的第二正面；在支撑层的第一正面上的二极管区；以及焊料垫，在支撑层的第二正面上。焊料垫包括金-锡结构，该金-锡结构具有50％或更大的锡重量百分比。发光二极管芯片可以包括多个活性区，这些活性区在发光二极管芯片上以电气串联方式相连接。

公开(公告)号：CN101714606A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910224555.3

申请日：2005-03-30

Applicant: 克里公司

Inventor： K·哈贝雷恩 ,  M·J·伯格曼 ,  V·米茨科夫斯基 ,  D·T·埃默森 ,  J·埃德蒙

IPC: H01L33/14

CPC classification number: H01L33/145 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/2063 ,  H01S5/2068 ,  H01S5/32341

Abstract: 提供了一种具有位于导线接合焊盘下的电流阻挡结构的发光器件及制造该发光器件的方法。所述电流阻挡结构可以是位于所述器件有源区域内的减小的导电区域。所述电流阻挡结构可以是其上形成了接触的层的损坏区域。所述电流阻挡结构可以是位于器件的有源区域和欧姆接触之间的肖特基接触。也可在所述欧姆接触和有源区域之间提供半导体结，诸如PN结。

公开(公告)号：CN1505843B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN02809205.8

申请日：2002-06-12

Applicant: 克里公司

Inventor： D·T·埃默森 ,  A·C·阿贝尔 ,  M·J·伯格曼

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/04 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  Y10S438/93

Abstract: 本申请公开了一种发光二极管。该二极管包括：具有第一导电类型的碳化硅衬底(21)；位于SiC衬底之上的、导电类型与衬底相同的第一氮化镓层(25)；在GaN层(27)上的、由选自GaN、InGaN和AlInGaN的多个交替层重复系列形成的超晶格；位于超晶格上、导电类型与第一GaN层相同的第GaN层(30)；第二GaN层上的多量子阱(31)；多量子阱上的第三GaN层；位于第三GaN层(32)上、导电类型与衬底和第一GaN层相反的接触结构；对SiC衬底的欧姆接触；和对接触结构的欧姆接触。

公开(公告)号：CN102612760B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201080046495.1

申请日：2010-07-29

Applicant: 克里公司

Inventor： M·J·伯格曼 ,  K·W·哈贝雷恩 ,  B·E·威廉斯 ,  W·T·帕克 ,  潘方圆 ,  D·苏 ,  M·多诺弗里奥

IPC: H01L33/46

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/007 ,  H01L33/20 ,  H01L2224/73265

Abstract: 一种发光二极管，包括：具有第一(120A)和第二(120B)相对的面的碳化硅衬底(120)，所述第一面上的二极管区域(110)，与所述碳化硅衬底相对的在所述二极管区域上的阳极(112)和阴极(114)触点以及与所述二极管区域相对的在所述碳化硅衬底上的混合反射器(132，134)。所述混合反射器包括透明层(132)和反射层(232)，所述透明层(132)具有低于所述碳化硅衬底的折射率的折射率，所述反射层(232)在所述透明层上，与所述衬底相对。可以在所述混合反射器上提供芯片附接层，与所述碳化硅衬底相对。可以在所述混合反射器和所述芯片附接层之间提供阻挡层(432)。

公开(公告)号：CN104285277A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201380024612.8

申请日：2013-03-25

Applicant: 克里公司

Inventor： M·J·伯格曼 ,  D·T·爱默生 ,  J·G·克拉克 ,  C·P·赫塞尔

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L25/0756 ,  H01L24/14 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/486 ,  H01L33/50 ,  H01L33/507 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14155 ,  H01L2224/14177 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: LED晶圆包括在LED衬底上的LED管芯。LED晶圆和载体晶圆是接合的。接合到载体晶圆的LED晶圆被成形。将波长转换材料施加到被成形的LED晶圆。执行切单以提供接合到载体管芯的LED管芯。可以将切单的器件安装在LED灯具中以提供高的每单位面积的光输出。

公开(公告)号：CN101834245B

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201010156574.X

申请日：2002-06-12

Applicant: 克里公司

Inventor： D·T·埃默森 ,  A·C·阿贝尔 ,  M·J·伯格曼

IPC: H01L33/04 ,  H01L27/15 ,  G09F9/33 ,  F21S2/00 ,  F21Y101/02

CPC classification number: H01L33/04 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  Y10S438/93

Abstract: 本申请公开了一种发光二极管。该二极管包括：具有第一导电类型的碳化硅衬底(21)；位于SiC衬底之上的、导电类型与衬底相同的第一氮化镓层(25)；在GaN层(27)上的、由选自GaN、InGaN和AlInGaN的多个交替层重复系列形成的超晶格；位于超晶格上、导电类型与第一GaN层相同的第二GaN层(30)；第二GaN层上的多量子阱(31)；多量子阱上的第三GaN层；位于第三GaN层(32)上、导电类型与衬底和第一GaN层相反的接触结构；对SiC衬底的欧姆接触；和对接触结构的欧姆接触。